恭喜圣晖莱南京能源科技有限公司高亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜圣晖莱南京能源科技有限公司申请的专利铜铟镓硒PN接面及其制备方法及在半导体薄膜组件及光电感测模块中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111799341B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910266450.8，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权铜铟镓硒PN接面及其制备方法及在半导体薄膜组件及光电感测模块中的应用是由高亮;张准;林于庭设计研发完成，并于2019-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本铜铟镓硒PN接面及其制备方法及在半导体薄膜组件及光电感测模块中的应用在说明书摘要公布了：本申请涉及一种PN接面及其制备方法及用途，包含所述的PN接面的半导体薄膜组件尤其是光电二极管组件及包含所述的半导体薄膜组件的光电感测模块及其广泛用途。所述的PN接面包含P型铜铟镓硒半导体薄膜层及N型铜铟镓硒半导体薄膜层，所述的N型铜铟镓硒半导体薄膜层由铜铟镓硒等元素构成，其中铜相较于铟的莫耳数比在1.1至1.5的范围内且具有化学式CuInxGa1‑xSe2，其中x的数值在0.6至0.9的范围内。制备所述的PN接面的方法使用四元靶材、为干式制程、无须硒化处理且可将所述的PN接面制作于可挠性基板上。
本发明授权铜铟镓硒PN接面及其制备方法及在半导体薄膜组件及光电感测模块中的应用在权利要求书中公布了：1.一种PN接面，其包含P型铜铟镓硒半导体薄膜层及N型铜铟镓硒半导体薄膜层，其中所述的P型铜铟镓硒半导体薄膜层中的铜相较于铟的原子莫耳数比在1.6至2的范围内；并且其中所述的N型铜铟镓硒半导体薄膜层中的铜相较于铟的原子莫耳数比在1.1至1.5的范围内。
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