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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119786339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510294702.3，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体结构及其形成方法是由阮钢;马亚强;罗钦贤;苏圣哲设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供半导体结构及其形成方法，先执行第一等离子体处理工艺，在NMOS器件的侧墙、PMOS器件的侧墙上以及浅沟槽隔离结构的表面上形成氢氧键；然后执行第二等离子体处理工艺，第二等离子体处理工艺中的气体与氢氧键反应生成特征反应基团，接着形成掩膜层，特征反应基团与掩膜层中的水生成游离的氢氧根离子，在曝光工艺中，光穿过掩膜层进入浅沟槽隔离结构内进行多次反射，在相邻NMOS器件和PMOS器件之间的沟道底部的掩膜层中产生的光酸超过预设值，游离的氢氧根离子与过度曝光产生的过量光酸发生中和反应，以使掩膜层中的光酸符合预设值，意想不到的效果是，显著改善了掩膜层中侧切的问题，提高了产品的良率。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有位于P阱区的NMOS器件和位于N阱区的PMOS器件，相邻的所述P阱区和所述N阱区之间形成有浅沟槽隔离结构，所述NMOS器件和所述PMOS器件分别包括栅极和位于所述栅极两侧的侧墙；执行第一等离子体处理工艺，在所述侧墙上和所述浅沟槽隔离结构的表面上形成氢氧键；执行第二等离子体处理工艺，所述第二等离子体处理工艺中的气体与所述侧墙上和所述浅沟槽隔离结构的表面上的氢氧键反应生成特征反应基团；形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述NMOS器件的侧墙、所述PMOS器件的侧墙并填充相邻所述NMOS器件和所述PMOS器件之间的沟道，所述特征反应基团与所述掩膜层中的水生成游离的氢氧根离子；执行曝光工艺，光穿过所述掩膜层进入所述浅沟槽隔离结构内进行反射，在相邻所述NMOS器件和所述PMOS器件之间的沟道底部所述掩膜层中产生的光酸超过预设值，所述游离的氢氧根离子与所述光酸发生中和反应，以使所述掩膜层中的光酸符合预设值。

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