恭喜浙江晶科能源有限公司曾宪欢获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江晶科能源有限公司申请的专利太阳能电池的制备方法和太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789611B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510278332.4，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权太阳能电池的制备方法和太阳能电池是由曾宪欢;汪益兰;张宁;曾宪泳;刘永平;邱彦凯设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池的制备方法和太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明提供了一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池。制备方法包括：提供硅基底，具有相对的正面和背面；在正面形成扩散层；在背面顺序形成隧穿层和掺杂多晶硅层；在扩散层远离硅基底的一侧形成氧化铝层；在氧化铝层的表面形成氢处理层，氢处理层的材料包括Al‑O‑Al键；在氢处理层远离氧化铝层的一侧形成减反射层；在背面和正面分别形成电极。通过本申请，解决了现有技术中氧化铝钝化膜层中容易氢富集而导致氧化铝层被破坏的问题。
本发明授权太阳能电池的制备方法和太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供硅基底，具有相对的正面和背面；在所述正面形成扩散层；在所述背面顺序形成隧穿层和掺杂多晶硅层；在所述扩散层远离所述硅基底的一侧形成氧化铝层；在所述氧化铝层的表面形成氢处理层，所述氢处理层的材料包括Al-O-Al键；在所述氢处理层远离所述氧化铝层的一侧形成减反射层；在所述背面和所述正面分别形成电极；在所述氧化铝层的表面形成氢处理层，包括：将具有所述氧化铝层的所述硅基底放入第一反应室内；在不注入氧化剂的情况下，至少向所述第一反应室中注入一次三甲基铝，形成所述氢处理层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江晶科能源有限公司，其通讯地址为：314400 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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