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龙图腾网恭喜洛阳隆盛科技有限责任公司申请的专利一种基于P沟道MOS管的电源冗余电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119727090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510238314.3，技术领域涉及：H02J9/06；该发明授权一种基于P沟道MOS管的电源冗余电路是由钱忠源;陈佳良;谢泽兴设计研发完成，并于2025-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于P沟道MOS管的电源冗余电路在说明书摘要公布了：本申请提供了一种基于P沟道MOS管的电源冗余电路，属于直流电源技术领域，包括输入、输出、P沟道MOS管、三极管、比较器和电阻，输入正极连接至第六电阻一端和MOS管漏极，输入负极连接至三极管发射极、比较器GND端和输出负极，MOS管源极连接至第一电阻、第四电阻、第五电阻、比较器VCC端以及输出正极，第五电阻另一端连接比较器1IN‑端，第六电阻另一端连接比较器1IN+端，MOS管栅极连接第一电阻和第二电阻，第二电阻另一端连接三极管集电极，三极管基极连接第三电阻，第三电阻还连接比较器1OUT端和第四电阻。本申请方案成本低、可靠性高、适用输入电压范围更广，兼容冗余电源中各种类型的输出电压。

本发明授权一种基于P沟道MOS管的电源冗余电路在权利要求书中公布了：1.一种基于P沟道MOS管的电源冗余电路，其特征在于，所述电路包括输入Ui、输出Uo、MOS管V1、三极管V2、比较器N1以及电阻，MOS管V1设置为P沟道MOS管，电阻包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6，比较器N1包括VCC端、GND端、1IN-端、1IN+端和1OUT端；输入Ui的正极分别连接至第六电阻R6的一端和MOS管V1的漏极，输入Ui的负极分别连接至三极管V2的发射极、比较器N1的VCC端和输出Uo的负极，MOS管V1的源极分别连接至第一电阻R1的一端、第四电阻R4的一端、第五电阻R5的一端、比较器N1的GND端以及输出Uo的正极，第五电阻R5的另一端连接至比较器N1的1IN-端，第六电阻R6的另一端连接至比较器N1的1IN+端，MOS管V1的栅极分别连接至第一电阻R1的另一端、第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端连接至三极管V2的集电极，三极管V2的基极连接至第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端分别连接至比较器N1的1OUT端和第四电阻R4的另一端。

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