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龙图腾网恭喜微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种解决横向刻蚀的Micro LED像素点及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767916B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510238558.1，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权一种解决横向刻蚀的Micro LED像素点及其制备方法是由王月;黄振;余鹿鸣设计研发完成，并于2025-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种解决横向刻蚀的Micro LED像素点及其制备方法在说明书摘要公布了：一种解决横向刻蚀的MicroLED像素点的制备方法，属于半导体器件及其加工工艺技术领域。本发明通过改变掩膜的制备方法，在刻蚀气体Cl2BCl3的基础上增加了Ar2与N2两种气体，在调整最佳比例后，SiO2与AlGaInP的刻蚀选择比从5：1能达到15：1以上，并且刻蚀过程中不再产生横向刻蚀问题，得到了高选择比、侧壁光滑、无任何横向刻蚀的像素点。本发明解决了N+GaAs重掺杂层和P型GaP层在刻蚀过程中存在的严重横向刻蚀问题，解决了由于存在横向刻蚀导致后续钝化层覆盖不连续的问题，可以有效地改善刻蚀侧壁、底部粗糙的问题，极高的增加了硬掩模的刻蚀选择比，进而提升MicroLED的发光效率。

本发明授权一种解决横向刻蚀的Micro LED像素点及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种解决横向刻蚀的MicroLED像素点的制备方法，其特征在于：其步骤如下，（a）硬掩模沉积：将与Si基CMOS衬底共晶键合后的AlGaInP基器件分别使用丙酮、异丙醇、去离子水超声清洗10~20min，再吹干表面水分；然后在AlGaInP基器件N+GaAs重掺杂层的表面沉积50~700nm厚度的SiO2薄膜；（b）曝光：在SiO2薄膜表面旋涂正性光刻胶，固化后进行紫外掩膜曝光，光刻胶掩膜版的形状与需要制备的MicroLED像素点的形状相同；曝光后将AlGaInP基器件放置在显影液中浸泡一段时间后取出，再放入盛有去离子水的容器中进行冲水，曝光的正性光刻胶被去除，冲水过程结束将AlGaInP基器件吹干；（c）后烘：将吹干后的AlGaInP基器件在80~180℃下后烘10~15min，使未曝光的正性光刻胶回流成梯形后冷却至室温，此时光刻胶侧壁光滑；（d）SiO2刻蚀；以冷却后的光刻胶为掩膜刻蚀SiO2薄膜，刻蚀后得到图形化的SiO2硬掩模；（e）去除光刻胶：依次使用去胶液和去离子水超声清洗15~30min和8~15min，去除图形化的SiO2硬掩模上的光刻胶，然后吹干AlGaInP基器件表面的水分；此时AlGaInP基器件表面无光刻胶覆盖，仅有图形化的SiO2硬掩模；（f）像素点刻蚀：以图形化的SiO2硬掩模为掩膜刻蚀5~15min后在键合金属层上得到MicroLED像素点，从下至上MicroLED像素点由P型GaP层、P型AlGaInP层、MQWs量子阱层、N型AlGaInP层和N+GaAs重掺杂层组成；使用的刻蚀气体为Cl2、BCl3、Ar2和N2，Cl2的流量为40~60sccm，BCl3流量为40~60sccm，Ar流量为15~30sccm，N2流量为5~10sccm，并且Ar流量与N2流量的比例为2.5~3.5：1。

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