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龙图腾网恭喜北京市天润中电高压电子有限公司申请的专利一种雪崩高压硅堆的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119578132B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510142298.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种雪崩高压硅堆的制造方法是由王诗雪;张裕;王妍敏设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种雪崩高压硅堆的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种雪崩高压硅堆的制造方法，该方法包括：根据雪崩高压硅堆的工作电压的范围、子模块个数，随机获得二极管分布向量和掺杂浓度向量；采用仿真软件进行雪崩高压硅堆模拟，得到仿真合格向量、硅堆功率以及电压分布向量；计算仿真合格率；得到每个电压分布向量的电压适配度；得到高电压权重，对电压适配度进行加权求和，得到高电压耐受度；得到均压效果评估值，采用优化算法，得到最终的雪崩高压硅堆的制造方案。本申请旨在平衡硅堆内部二极管之间的分压，提高电压分布均匀性，提高对高电压的耐受性，降低齐纳击穿风险。

本发明授权一种雪崩高压硅堆的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种雪崩高压硅堆的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：根据雪崩高压硅堆的工作电压的范围、子模块个数，随机获得二极管分布向量和掺杂浓度向量；所述二极管分布向量的长度通过雪崩高压硅堆中包含的子模块个数确定；二极管分布向量中的元素通过每个子模块中的雪崩二极管的数量确定；所述掺杂浓度向量中的两个元素分别通过雪崩高压硅堆的工作电压的最小值、最大值确定；将随机获得的二极管分布向量和掺杂浓度向量采用仿真软件在预设数量个电压点上进行雪崩高压硅堆模拟，得到仿真合格向量、预设数量个硅堆功率以及预设数量个电压分布向量；根据仿真合格向量中的元素数值，筛选正常工作的电压点的电压分布向量，计算仿真合格率；根据筛选出的每个电压分布向量中的最大元素值在所有元素中的分布情况，得到每个电压分布向量的电压适配度；对筛选出的每个电压点与筛选出的所有电压点之间的硅堆功率进行比较，得到每个电压点的高电压权重，对电压适配度进行加权求和，得到高电压耐受度；基于所述仿真合格率以及所述高电压耐受度，得到均压效果评估值，采用优化算法，得到最终的雪崩高压硅堆的制造方案。

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