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恭喜嘉兴阿特斯技术研究院有限公司杨浩国获国家专利权

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龙图腾网恭喜嘉兴阿特斯技术研究院有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119604038B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510138602.1,技术领域涉及:H10F10/166;该发明授权太阳能电池及其制备方法是由杨浩国;姚铮;张达奇;吴坚设计研发完成,并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了:一种太阳能电池及其制备方法,属于光伏领域。太阳能电池包括电池基体、位于电池基体至少一表面的透明导电膜、位于透明导电膜远离电池基体的一侧的电极;透明导电膜包括位于电极区的第一透明导电膜、位于非电极区的第二透明导电膜,第一透明导电膜的载流子浓度大于第二透明导电膜的载流子浓度。本发明通过对透明导电膜进行优化,降低了电极与第一透明导电膜的接触电阻,结合透明导电膜内的载流子浓度差,有利于载流子的收集,提高电池效率。同时,非电极区的载流子浓度低,可以保持较高的透光性,提高了电池的光吸收率,从而可以提高电池效率。本发明能够平衡电极区对导电性、非电极区对透光性的要求,从电学和光学双重角度提高电池的效率。

本发明授权太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种太阳能电池,包括电池基体、位于所述电池基体至少一表面的透明导电膜(4)、位于所述透明导电膜(4)远离所述电池基体的一侧的电极(5);其特征在于,所述透明导电膜(4)包括位于电极区的第一透明导电膜(41)、位于非电极区的第二透明导电膜(42),所述第一透明导电膜(41)的载流子浓度大于所述第二透明导电膜(42)的载流子浓度,所述电极(5)与所述第一透明导电膜(41)接触;所述第一透明导电膜(41)位于所述电极(5)沿所述电池基体的厚度方向在所述透明导电膜(4)上的投影内,所述第一透明导电膜(41)与所述电极(5)接触的表面的面积与所述电极(5)在所述透明导电膜(4)上的投影的面积一致,所述第一透明导电膜(41)与电池基体接触的表面的面积小于所述电极(5)在所述透明导电膜(4)上的投影的面积。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人嘉兴阿特斯技术研究院有限公司,其通讯地址为:314000 浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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