Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
服务订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 恭喜中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司林锺吉获国家专利权

恭喜中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司林锺吉获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利光刻胶涂布方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114967346B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110205894.8,技术领域涉及:G03F7/16;该发明授权光刻胶涂布方法是由林锺吉;金在植;张成根;金成昱;梁贤石;贺晓彬;刘强;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成,并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

光刻胶涂布方法在说明书摘要公布了:本申请属于半导体加工技术领域,具体涉及一种光刻胶涂布方法,光刻胶涂布方法包括:将半导体晶圆放置在装载台上并使半导体晶圆的圆心位于光刻胶喷嘴的正下方;控制装载台带动半导体晶圆旋转,控制光刻胶喷嘴向半导体晶圆的圆心处喷涂光刻胶;控制光刻胶喷嘴的喷涂速率逐渐增加,且当光刻胶喷嘴的喷涂速率达到第一预设值后,控制光刻胶喷嘴的喷涂速率逐渐减小直到半导体晶圆完成喷涂。根据本申请的光刻胶涂布方法,由于半导体晶圆的喷涂初期需要大量的光刻胶,而随着半导体晶圆上被喷涂面积的增加,需要的光刻胶量逐渐减小,本申请通过合理的控制光刻胶喷嘴的喷涂速率,以此减少光刻胶的浪费量。

本发明授权光刻胶涂布方法在权利要求书中公布了:1.一种光刻胶涂布方法,其特征在于,所述光刻胶涂布方法包括:将半导体晶圆放置在装载台上并使所述半导体晶圆的圆心位于光刻胶喷嘴的正下方;控制所述装载台带动所述半导体晶圆旋转,控制所述光刻胶喷嘴向所述半导体晶圆的圆心处喷涂光刻胶;控制所述光刻胶喷嘴的喷涂速率逐渐增加,且当所述光刻胶喷嘴的喷涂速率达到第一预设值后,控制所述光刻胶喷嘴的喷涂速率逐渐减小直到所述半导体晶圆完成喷涂。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司,其通讯地址为:100029 北京市朝阳区北土城西路3号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。