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龙图腾网恭喜深圳技术大学申请的专利一种CMOS整流电路及植入式器械获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111355391B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010288242.0，技术领域涉及：H02M7/217；该发明授权一种CMOS整流电路及植入式器械是由张金勇;梅逢城;徐渊;曹建民设计研发完成，并于2020-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS整流电路及植入式器械在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种CMOS整流电路，包括：电路输入端；电路输出端；负载电容，所述负载电容分别与所述输入端以及输出端连接；第一PMOS功率管、第二PMOS功率管；第一NMOS功率管、第二NMOS功率管；第一比较器电路、第二比较器电路；第一动态偏置电路以及第二动态偏置电路；第一反相器以及第二反相器；其中，第一PMOS功率管的栅极与第一比较器电路连接，第二PMOS功率管的栅极与第二比较器电路连接；第一动态偏置电路与第一比较电路连接；第二动态偏置电路与所述第二比较电路连接；所述第一NMOS功率管与第二NMOS功率管栅极交叉连接；其中第一NMOS功率管的栅极与第二反相器的输出后端连接；第二NMOS功率管的栅极与第一反相器的输出后端连接。本发明实施例还提供了一种植入式器械。

本发明授权一种CMOS整流电路及植入式器械在权利要求书中公布了：1.一种CMOS整流电路，其特征在于，包括：电路输入端；电路输出端；负载电容，所述负载电容分别与所述输入端以及输出端连接；第一PMOS功率管、第二PMOS功率管；第一NMOS功率管、第二NMOS功率管；第一比较器电路、第二比较器电路；第一动态偏置电路以及第二动态偏置电路；第一反相器以及第二反相器；其中，第一PMOS功率管的栅极与第一比较器电路连接，第一比较器电路的正输入端与所述电路输出端的正端连接，第一比较器电路的负输入端与所述电路输入端的正端连接；第二PMOS功率管的栅极与第二比较器电路连接，所述第二比较器电路的正输入端与所述电路输出端的正端连接，所述第二比较器电路的负输入端与所述电路输出端的负端连接；第一动态偏置电路与第一比较器电路连接；第二动态偏置电路与所述第二比较器电路连接；所述第一NMOS功率管与第二NMOS功率管栅极交叉连接；其中第一NMOS功率管的栅极与第二反相器的输出后端连接，所述第二反相器与第二比较器电路连接；第二NMOS功率管的栅极与第一反相器的输出后端连接，所述第一反相器与第一比较器电路连接；第一动态偏置电路或所述第二动态偏置电路为PMOS型衬底动态偏置电路；所述第一比较器电路或第二比较器电路包括：二级放大器电路、自偏置电路和反相器输出波形整形电路。

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