恭喜株式会社半导体能源研究所山崎舜平获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112510097B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011132912.6，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备是由山崎舜平;冈崎健一;片山雅博;中田昌孝设计研发完成，并于2015-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备在说明书摘要公布了：本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。
本发明授权半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的栅电极；所述栅电极上的第二绝缘膜；与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；以及与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极，所述第二绝缘膜具有与所述栅极绝缘膜的上表面接触的区域、与所述栅极绝缘膜的侧面接触的区域以及与所述氧化物半导体膜的上表面接触的区域，所述第一绝缘膜具有第一区域和第二区域，所述第一区域与所述氧化物半导体膜重叠，所述第二区域不与所述氧化物半导体膜、所述栅极绝缘膜及所述栅电极的任一方重叠，所述第二区域的膜厚度小于所述第一区域的膜厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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