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龙图腾网恭喜北京清研半导科技有限公司申请的专利一种PVT法制备碳化硅装置及制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114686969B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210365694.3，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种PVT法制备碳化硅装置及制备工艺是由陈鹏飞;梁刚强;苗浩伟设计研发完成，并于2022-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种PVT法制备碳化硅装置及制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种PVT法制备碳化硅装置及制备工艺，涉及碳化硅生产技术领域，主要包括炉体、保温层、生长坩埚、原料坩埚和多孔透气层；炉体内设置有保温层，保温层内设置有生长坩埚，原料坩埚位于生长坩埚内，多孔透气层设置于原料坩埚的顶部敞口处；炉体与一炉体真空系统相连通，生长坩埚底部与一坩埚真空系统相连通。坩埚完全密封，保证富硅气氛不会刻蚀坩埚及外部保温材料，保证外来杂质不会进入生长坩埚，减少微管、碳包裹等缺陷产生；延长使用寿命的同时降低了成本；原料坩埚上部放置多孔透气层，将原料坩埚置于生长坩埚上部，吸附富硅气氛的同时保证进气均匀从生长坩埚两侧均匀扩散至原料坩埚上部，从而保证掺杂稳定性及电阻率分布均匀性。

本发明授权一种PVT法制备碳化硅装置及制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种PVT法制备碳化硅装置，其特征在于，包括炉体、保温层、生长坩埚、原料坩埚和多孔透气层；所述炉体内设置有所述保温层，所述保温层内设置有所述生长坩埚，所述原料坩埚位于所述生长坩埚内，所述多孔透气层设置于所述原料坩埚的顶部敞口处；所述炉体与一炉体真空系统相连通，所述生长坩埚底部与一坩埚真空系统相连通；所述生长坩埚采用超高纯高密度等静压石墨制作，体积密度为1.84~1.95gcm3，平均粒径为2~5mm；所述原料坩埚采用超高纯高密度等静压石墨或超高纯透气石墨制作，体积密度为小于或等于1.84gcm3，平均粒径为3~10mm；所述多孔透气层为多孔石墨片和多孔金属碳化物片或表面设置有金属碳化物涂层的多孔石墨片，其中，所述多孔透气层为多孔石墨片和多孔金属碳化物片时，所述多孔石墨片和所述多孔金属碳化物片形状相同，所述多孔石墨片位于所述多孔金属碳化物片下方；所述多孔透气层厚度2~5mm，平均孔隙率20-50%，平均孔径2~5mm。

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