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龙图腾网恭喜合肥芯胜半导体有限公司申请的专利一种分子束外延生长控制方法及源炉装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119615359B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510152224.2，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权一种分子束外延生长控制方法及源炉装置是由郭宏娜;刘冰冰设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分子束外延生长控制方法及源炉装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种分子束外延生长控制方法及源炉装置，分子束外延生长材料包括决定元素和过量元素，决定元素是束流量大小直接影响生长速率和或组分的元素，过量元素是束流量超过一定数值后不影响生长速率和或组分；每种决定元素均设置生长源炉和补偿源炉，生长源炉根据经验曲线进行温度控制且在每炉生长过程中保持温度稳定，补偿源炉在每炉生长过程中温度可变，通过调节补偿源炉温度来补偿生长源炉实际生长速率或束流与目标生长速率或束流之间的差值。源炉装置包括生长源炉和补偿源炉，用于实施上述方法。本发明在无需提高源炉温度控制精度的情况下，即可进行更加精确可控的生长速率或束流的调节。

本发明授权一种分子束外延生长控制方法及源炉装置在权利要求书中公布了：1.一种分子束外延生长控制方法，其特征在于，所述分子束外延生长材料包括决定元素和过量元素，所述决定元素是束流量大小直接影响生长速率和或组分的元素，所述过量元素是束流量超过一定数值后不影响生长速率和或组分的元素；每种决定元素均设置生长源炉和补偿源炉，生长源炉根据经验曲线进行温度控制且在每炉生长过程中保持温度稳定，补偿源炉在每炉生长过程中温度可变，通过调节补偿源炉温度来补偿生长源炉实际生长速率或束流与目标生长速率或束流之间的差值；所述生长源炉提供的生长速率或束流占总速率或束流的80%~95%；在两次生长间隙，通过以下（1）或（2）的方式调节生长源炉和补偿源炉温度：（1）补偿源炉降温至生长开始前的状态，将生长源炉升温；（2）维持前次生长结束时的生长源炉和补偿源炉温度，直接进行下一次生长；当预估下一次生长结束时，补偿源炉提供的生长速率或束流占总生长速率或束流的百分比超过设定数值时，采用方式（1）调节生长源炉和补偿源炉温度。

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