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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951714B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911260433.X，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘长宇;韩亮设计研发完成，并于2019-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括相邻接的第一区及第二区；在第一区的基底上及第二区的基底上形成浮栅层；在浮栅层上形成硬掩膜层，第一区的硬掩膜层顶部低于第二区的硬掩膜层顶部；在第一区的硬掩膜层上及第二区的硬掩膜层上形成第一氧化层；刻蚀第一氧化层、硬掩膜层、浮栅层及基底，在第一区内形成多个第一凹槽，在第二区内形成多个第二凹槽；形成填充满第一凹槽及所述第二凹槽的第二氧化层；刻蚀第二氧化层及第一氧化层，直至露出第二区的硬掩膜层顶部表面，剩余第一氧化层覆盖第一区的硬掩膜层顶部。本发明有助于改善各个所述第一凹槽内的第二氧化层顶部表面高度的一致性。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括相邻接的第一区及第二区；在所述第一区的基底上及第二区的基底上形成浮栅层；在所述浮栅层上形成硬掩膜层，所述第一区的硬掩膜层顶部低于所述第二区的硬掩膜层顶部；在所述第一区的硬掩膜层上及第二区的硬掩膜层上形成第一氧化层；刻蚀所述第一氧化层、所述硬掩膜层、所述浮栅层及所述基底，在所述第一区内形成多个第一凹槽，在所述第二区内形成多个第二凹槽；形成填充满所述第一凹槽及所述第二凹槽的第二氧化层；刻蚀所述第二氧化层及所述第一氧化层，直至露出所述第二区的硬掩膜层顶部表面，剩余所述第一氧化层覆盖所述第一区的硬掩膜层顶部；其中，所述第一区为单元，所述第二区为周边区域；在所述刻蚀工艺中，所述第一氧化层与所述第二氧化层的刻蚀速率相同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。