恭喜三星电子株式会社禹珉希获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利集成电路芯片及其制造方法、集成电路封装和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111682009B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910997727.4，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权集成电路芯片及其制造方法、集成电路封装和显示装置是由禹珉希;姜声珉;姜俊求;高升希;金荣睦设计研发完成，并于2019-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路芯片及其制造方法、集成电路封装和显示装置在说明书摘要公布了：一种集成电路IC芯片包括在穿过基板和器件层的通孔内延伸的过孔接触插塞、围绕过孔接触插塞的通孔接触衬层、沿基板的底面延伸的连接焊盘衬层、一体连接到过孔接触插塞的虚设凸块结构以及连接到连接焊盘衬层的凸块结构。一种制造IC芯片的方法包括：在通孔内部和外部形成凸块下金属UBM层；以及形成第一连接金属层、第二连接金属层和第三连接金属层。第一连接金属层覆盖通孔内的UBM层，第二连接金属层一体连接到第一连接金属层，并且第三连接金属层覆盖连接焊盘衬层上的UBM层。
本发明授权集成电路芯片及其制造方法、集成电路封装和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种集成电路芯片，包括：集成电路部分，所述集成电路部分包括基板和形成在所述基板上的器件层；过孔接触插塞，在穿过所述基板和所述器件层的通孔内部在竖直方向上延伸；过孔接触衬层，在所述通孔内部围绕所述过孔接触插塞；连接焊盘衬层，一体地连接到所述过孔接触衬层，所述连接焊盘衬层沿着所述基板的底面在横向方向上延伸；虚设凸块结构，位于所述通孔外部并且一体地连接到所述过孔接触插塞；以及凸块结构，在与所述过孔接触插塞和所述虚设凸块结构分开的位置处连接到所述连接焊盘衬层，其中，所述过孔接触衬层和所述连接焊盘衬层是导电衬层，并且其中，所述凸块结构通过所述连接焊盘衬层电连接到所述虚设凸块结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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