恭喜浙江广芯微电子有限公司谢刚获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江广芯微电子有限公司申请的专利一种MOSFET共线封装控制方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119786343B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510258179.9，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权一种MOSFET共线封装控制方法及系统是由谢刚;刘斌凯;林宇航设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET共线封装控制方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOSFET共线封装控制方法及系统，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：获取待切割晶圆的芯片分布框线图，并根据该图进行切割最短路径寻优，生成晶圆切割推荐路径；获得切割速度和深度的时序信息。通过切割温度预测模型，结合切割路径、速度和深度信息，生成切割温度时序信息；根据温度时序信息优化冷却控制，获得推荐的冷却液流量和压力时序信息；基于切割和冷却参数进行晶圆切割，并获得多个分离芯片用于MOSFET共线集成封装。解决了现有技术中晶圆切割过程中的温度控制不精确、冷却效率低的技术问题，达到了提高晶圆切割过程中温度控制的精确性和冷却效率的技术效果。
本发明授权一种MOSFET共线封装控制方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET共线封装控制方法，其特征在于，包括：获得待切割晶圆的芯片分布框线图；根据所述芯片分布框线图进行切割最短路径寻优，获得晶圆切割推荐路径；获得切割速度时序信息和切割深度时序信息；通过切割温度预测模型，对所述晶圆切割推荐路径、所述切割速度时序信息和所述切割深度时序信息进行处理，获得切割温度时序信息；根据所述切割温度时序信息对冷却控制进行寻优，获得冷却液推荐流量时序信息和冷却液推荐压力时序信息；根据所述切割速度时序信息、所述切割深度时序信息、所述冷却液推荐流量时序信息和所述冷却液推荐压力时序信息进行晶圆切割，获得若干个分离芯片进行MOSFET共线集成封装。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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