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龙图腾网恭喜浙江广芯微电子有限公司申请的专利面向特高压MOSFET的封装优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119808693B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510259059.0，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权面向特高压MOSFET的封装优化方法及系统是由谢刚;刘斌凯;湛亚鑫设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本面向特高压MOSFET的封装优化方法及系统在说明书摘要公布了：本申请提供了面向特高压MOSFET的封装优化方法及系统，涉及半导体制造技术领域，通过确定特高压MOSFET元件的预设封装布局；分析寄生电容及寄生电容对开关速度的影响，以及寄生电感及寄生电感对电压过冲的影响，结合能量损耗关联分析，建立寄生电容优化网络和寄生电感优化网络；拟定多个等效RC电路并进行等效组合，根据优化网络建立性能优化模型；基于性能优化模型，结合封装需求信息进行折中回溯迭代，同时，调整预设封装布局，得到最优封装布局。本申请解决了现有技术缺乏对封装过程中寄生效应的系统性优化，导致难以实现整体封装性能提升的技术问题，达到了显著提高特高压MOSFET的性能和可靠性的技术效果。

本发明授权面向特高压MOSFET的封装优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.面向特高压MOSFET的封装优化方法，其特征在于，所述方法包括：根据特高压MOSFET元件，确定预设封装布局，所述特高压MOSFET元件包括高侧MOSFET源极引脚、电机绕组、低侧MOSFET漏极引脚；根据所述预设封装布局，分析寄生电容及寄生电容对开关速度的影响，获取第一影响评估组合，并根据所述第一影响评估组合进行能量损耗关联分析，利用第一能量损耗关联分析结果，建立寄生电容优化网络；根据所述预设封装布局，分析寄生电感及寄生电感对电压过冲的影响，获取第二影响评估组合，并根据所述第二影响评估组合进行能量损耗关联分析，利用第二能量损耗关联分析结果，建立寄生电感优化网络；通过所述特高压MOSFET元件中的高侧MOSFET源极引脚、电机绕组、低侧MOSFET漏极引脚，拟定多个等效RC电路，所述多个等效RC电路包括串联等效的RC电路、并联等效的RC电路；对所述多个等效RC电路中的串联等效的RC电路、并联等效的RC电路进行等效组合，并根据所述寄生电容优化网络、寄生电感优化网络建立性能优化模型；基于所述性能优化模型，结合所述特高压MOSFET元件的封装需求信息进行折中回溯迭代，同时，对所述预设封装布局进行调整，得到最优封装布局，所述方法包括：引入外围电子元件，拟定外围电路集合；基于所述外围电路集合、电源分配网络进行布局紧凑化引导，设置布局引导矢量；使用所述布局引导矢量，优化元件间的相对位置和连接路径，得到所述最优封装布局；对所述预设封装布局进行调整，得到最优封装布局，所述方法还包括：获取所述特高压MOSFET元件的热损耗特性；基于所述预设封装布局，确定集成热管散热结构，所述集成热管散热结构具备多种规格热管、多种规格散热片形成的组合搭配；根据所述热损耗特性，结合所述集成热管散热结构，确定热阻约束条件，所述热阻约束条件用于判定是否满足所述封装需求信息中的散热需求标准；基于所述预设封装布局，确定集成热管散热结构，所述集成热管散热结构具备多种规格热管、多种规格散热片形成的组合搭配，所述方法包括：根据所述预设封装布局进行热应力分析，获取第一膨胀系数组合；根据所述集成热管散热结构进行热应力分析，获取第二膨胀系数组合；基于所述第一膨胀系数组合、第二膨胀系数组合进行散热需求与封装可靠性的双向平衡分析，确定结构兼容约束标准，对所述预设封装布局进行调整的过程中进行验证，所述方法包括：根据所述第一膨胀系数组合、第二膨胀系数组合进行匹配，在温度变化时收集膨胀差异参数，确定第一差异指数及应力集中风险；根据所述第一膨胀系数组合、第二膨胀系数组合进行匹配，在温度变化时收集收缩差异参数，确定第二差异指数及封装失效风险；通过所述第一差异指数及应力集中风险、第二差异指数及封装失效风险，拟定结构兼容约束标准。

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