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龙图腾网恭喜浙江求是创芯半导体设备有限公司申请的专利一种硅外延生长膜厚均匀性的工艺优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119530963B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510066544.6，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权一种硅外延生长膜厚均匀性的工艺优化方法是由曹建伟;张文浩;朱凌锋;叶斌;周田莉;王明明;许嘉俊设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅外延生长膜厚均匀性的工艺优化方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅外延生长膜厚均匀性的工艺优化方法，包括依次进行的确定基础条件、设计实验方案、计算敏感度、非线性规划求解、实验验证，最终可以得到工艺优化组，对实际工艺进行优化。本发明所述工艺优化方法结合了DOE的实验设计思路，通过确定工艺变量并分别设计i组（i≥3）不同的实验工艺参数，可以优化实验测试组数，有效降低了实验的晶圆和机台消耗，有效的降低了实验次数，并实现了最佳均匀性的预测。

本发明授权一种硅外延生长膜厚均匀性的工艺优化方法在权利要求书中公布了：1.一种硅外延生长膜厚均匀性的工艺优化方法，其特征在于，所述工艺优化方法包括如下步骤：（1）确定基础条件：准备i个相同的基底，基于化学气相沉积方法，采用相同的基础工艺参数，分别在基底上生长Si层；（2）设计实验方案：确定工艺变量为温度，通过对加热元件进行分组并调整加热元件相对于额定功率的功率比例，来设计i组不同的实验工艺参数，i≥3，分别在步骤（1）所得的i组Si层上进行硅外延生长，分别测量硅外延生长膜厚曲线Ai；（3）计算敏感度：将步骤（2）所得硅外延生长膜厚曲线Ai分别除以各自的膜厚平均值进行归一化处理，分别计算硅外延生长膜厚对i组不同的实验工艺参数的敏感度，获得i条敏感度曲线；（4）非线性规划求解：基于步骤（3）所得i条敏感度曲线，设置（α1，α2，至αi）的一组参数组作为预测参数组，将两者线性组合，获得理想膜厚曲线并求解其理想均匀性表征值R理想；其中，所述非线性规划求解包括：定义变量上下界，并初始化，调用minimize函数，执行优化，求解最小值并输出优化结果，给出参数条件；（5）实验验证：将步骤（4）所述预测参数组与步骤（1）所述基础工艺参数整合，将所得验证工艺参数进行实验验证，获得验证组膜厚曲线并求解其验证均匀性表征值R验证；计算对比差值Q=│100%-R验证R理想│；若对比差值Q满足要求，符合预测，则验证工艺参数作为工艺优化组；否则，不符合预测，返回重新建立优化模型；其中，若对比差值Q≤10%，符合预测，得到工艺优化组；若满足10%＜对比差值Q＜20%，不符合预测，返回步骤（4）调整预测参数组的具体数值；若对比差值Q≥20%，不符合预测，返回步骤（2），重新确定工艺变量或增加工艺变量，重新设计i组不同的实验工艺参数；若重新确定工艺变量，重新设计i组不同的实验工艺参数，获得的对比差值满足10%＜对比差值Q＜20%，返回步骤（4）调整预测参数组的具体数值或者增加工艺变量。

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