恭喜乌镇实验室万舜获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜乌镇实验室申请的专利一种Cu8GeSe6基热电晶体的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119372762B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411966593.7，技术领域涉及：C30B11/00；该发明授权一种Cu8GeSe6基热电晶体的制备方法是由万舜;白旭东;魏天然;金敏;赵琨鹏;金涵设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Cu8GeSe6基热电晶体的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体生长技术领域，公开了一种Cu8GeSe6基热电晶体的制备方法，包括以下步骤：将单质混合熔融制成Cu8GeSe6基多晶体；将Cu8GeSe6基多晶体置于热导率高于100W·m‑1·K‑1的坩埚内，真空密封后放入垂直生长炉中；垂直生长炉内自上而下设有温度依次降低的温区I、温区II和温区III；将装有Cu8GeSe6基多晶体的坩埚在温区I内进行晶体熔化后，下移至温区II内进行晶体生长，再下移至温区III内进行退火。本发明的制备方法能够减少Cu8GeSe6基热电晶体内的孔洞，从而提高其力学强度，同时还能使Cu8GeSe6基热电晶体在300~500K温度范围内具有更低的热导率。
本发明授权一种Cu8GeSe6基热电晶体的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Cu8GeSe6基热电晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将单质混合熔融制成Cu8GeSe6基多晶体；S2：将Cu8GeSe6基多晶体置于热导率高于100W·m-1·K-1的坩埚内；将坩埚抽真空后充惰性气体，重复多次，最后一次充惰性气体至坩埚内气压为4×10-4~6×10-4Pa后密封，放入垂直生长炉中；垂直生长炉内自上而下设有温度依次降低的温区I、温区II和温区III；S3：将装有Cu8GeSe6基多晶体的坩埚在温区I内进行晶体熔化后，以0.3~0.5mmh的速度下移至温区II内进行晶体生长，再以0.1~0.5mmh的速度下移至温区III内进行退火，得Cu8GeSe6基热电晶体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人乌镇实验室，其通讯地址为：314500 浙江省嘉兴市桐乡市梧桐街道稻乐路925号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号