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龙图腾网获悉江西联创光电超导应用有限公司;宁夏盈谷实业股份有限公司;西安创联新能源设备有限公司申请的专利一种晶体缺陷检测分析方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119290973B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411804105.2，技术领域涉及：G01N27/04；该发明授权一种晶体缺陷检测分析方法及系统是由伍宇扬;蒋国忠;伍锐;戴少涛;何昕;吴学军;伍铭越;高琪;时刚设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体缺陷检测分析方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶体缺陷检测分析方法及系统，属于晶体检测技术领域，包括：步骤1：对晶体进行加热和冷却，获取不同烧结条件下的电阻率并确定缺陷的浓度；步骤2：确定载流子的行为受缺陷的吸引力和抑制作用影响，确定注入载流子后的电流响应，确定缺陷的类型；步骤3：获取晶体的光吸收过程，根据光电子的跃迁时间和弛豫时间确定缺陷的迁移动力学；步骤4：创建数值模型，根据温度依赖的载流子输运预测晶体的缺陷行为，获取缺陷的动力学过程；步骤5：将缺陷的浓度、类型、迁移动力学以及动力学过程进行回归分析，提取缺陷的特征参数，实现晶体的缺陷检测分析。解决了晶体缺陷检测成本高，且检测速度较慢，检测深度有限，影响材料性能的问题。

本发明授权一种晶体缺陷检测分析方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种晶体缺陷检测分析方法，其特征在于，包括：步骤1：通过对晶体进行加热和冷却，获取晶体在不同烧结条件下的电阻率，根据电阻率确定缺陷的浓度；步骤2：根据电荷注入技术确定载流子的行为受缺陷的吸引力和抑制作用影响，根据吸引力和抑制作用影响确定注入载流子后的电流响应和电阻变化，根据电流响应和电阻变化确定缺陷的类型；步骤3：根据光吸收光谱获取晶体在不同光下的光吸收过程，确定光电子的跃迁时间和弛豫时间，根据光电子的跃迁时间和弛豫时间确定缺陷的迁移动力学；步骤4：创建数值模型，并根据温度依赖的载流子输运和缺陷运动预测晶体在不同温度下的缺陷行为，获取缺陷的动力学过程；步骤5：将缺陷的浓度、类型、迁移动力学以及动力学过程进行回归分析，提取缺陷的特征参数，根据所述特征参数实现晶体的缺陷检测分析；其中，将缺陷的浓度、类型、迁移动力学以及动力学过程进行回归分析，提取缺陷的特征参数，根据所述特征参数实现晶体的缺陷检测分析，包括：将缺陷的浓度、类型、迁移动力学以及动力学过程进行回归分析，根据分析结果获取缺陷性质信息，并基于所述缺陷性质信息对已识别的缺陷进行失效模式预测；根据预测结果获取缺陷的形成机制和传播途径；根据所述缺陷的形成机制和传播途径提取缺陷的特征参数，根据所述特征参数获取对应的修复策略，根据修复策略实现对晶体的缺陷检测分析；其中，将缺陷的浓度、类型、迁移动力学以及动力学过程进行回归分析，根据分析结果获取缺陷性质信息，并基于所述缺陷性质信息对已识别的缺陷进行失效模式预测，包括：根据缺陷的浓度、类型、迁移动力学以及动力学过程确定多个数据项的变化参数，基于变化参数构建每个数据项的变化量监测序列；通过每个数据项的变化量监测序列获取该数据项的异常特征，对异常特征进行回归匹配分析确定每个数据项的预测缺陷类型；将所有数据项中重复出现的预测缺陷类型作为晶体的定性缺陷；从数据库中调取定性缺陷的缺陷描述显性特征和缺陷描述隐性特征，根据缺陷描述显性特征和缺陷描述隐性特征确定在定性缺陷下的晶体完整度；基于晶体完整度确定定性缺陷的缺陷性质信息，所述缺陷性质信息包括：一般缺陷信息、严重缺陷信息和重大缺陷信息；根据定性缺陷的缺陷性质信息获取晶体在多缺陷共存条件下质量退化与失效演变关系函数；将每个已识别的缺陷与其他已识别的缺陷进行基本缺陷独立不相关性分析，获取分析结果；根据分析结果确定每个已识别的缺陷与其他已识别的缺陷之间的关联系数；将关联系数作为晶体在多缺陷共存条件下质量退化与失效演变关系函数的参数值并进行函数计算，得到函数计算结果；根据函数计算结果确定每个已识别的缺陷的失效模式，其中，失效模式包括：双缺陷覆盖失效和多缺陷隐藏失效。

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