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龙图腾网获悉芯率智能科技(苏州)有限公司申请的专利一种基于晶背补偿模型的补偿方法、系统、介质及产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601489B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411794203.2，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种基于晶背补偿模型的补偿方法、系统、介质及产品是由姚文全;鲁成龙;蒋晓军设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于晶背补偿模型的补偿方法、系统、介质及产品在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种基于晶背补偿模型的补偿方法、系统、介质及产品，包括：获取第一堆叠层的堆叠参数组合，其包括：第一数据类型，其包括：第一堆叠层的厚度、大小，晶粒的大小；第二数据类型，其包括：第一堆叠层的最上层晶片层的第一研磨厚度，第一堆叠层的第一弯曲度；将堆叠参数组合输入至预构建的晶背补偿模型，对应地获取得到下一层晶片层的第二研磨厚度。本发明所提供的补偿方法能够基于半导体器件的类型，以及当前堆叠状态对研磨厚度进行梯度式的修正。

本发明授权一种基于晶背补偿模型的补偿方法、系统、介质及产品在权利要求书中公布了：1.一种基于晶背补偿模型的补偿方法，其特征在于，包括：S201，获取第一堆叠层的堆叠参数组合，所述第一堆叠层包括：母片，以及设置在所述母片上的至少一层晶片层，且所述晶片层具有多个晶粒，对应地，所述堆叠参数组合包括：第一数据类型，所述第一数据类型包括：所述第一堆叠层的厚度，所述第一堆叠层的大小，所述晶粒的大小；第二数据类型，所述第二数据类型包括：所述第一堆叠层的最上层所述晶片层的第一研磨厚度，所述第一堆叠层的第一弯曲度；S202，将所述堆叠参数组合输入至预构建的晶背补偿模型，对应地获取得到下一层所述晶片层的第二研磨厚度；其中，构建所述晶背补偿模型的步骤包括：S21，获取训练样本集，所述训练样本集包括：多个样本点，所述样本点关联有根据历史堆叠层所采集到的第一历史堆叠参数组合，以及第二历史堆叠参数组合，其中，所述历史堆叠层包括：第一历史堆叠层；在所述第一历史堆叠层上堆叠至少一层历史晶片层所获取得到的第二历史堆叠层；对应地，所述第一历史堆叠参数组合包括：第一历史数据类型，其包括：所述第一历史堆叠层的厚度，所述历史堆叠层的大小，所述晶粒的大小；第二历史数据类型：所述第一历史堆叠层的最上层所述晶片层的第一历史研磨厚度，所述第一历史堆叠层的第一历史弯曲度；所述第二历史堆叠参数组合包括：当前所述至少一层历史晶片层的第二研磨厚度，以及所述第二历史堆叠层的第二历史弯曲度；S22，将所述训练样本集输入神经网络模型进行训练，对应获取得到所述晶背补偿模型；其中，所述神经网络模型的输入层包括：所述第一历史堆叠参数组合、所述第二历史弯曲度，输出层包括：所述第二研磨厚度。

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