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龙图腾网获悉宁波中车时代传感技术有限公司申请的专利一种化合物霍尔集成芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119110671B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411569966.7，技术领域涉及：H10N52/01；该发明授权一种化合物霍尔集成芯片及其制备方法是由孟庆明;时亚南;郑华雄;关克;侯晓伟;张坡;李菊萍设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种化合物霍尔集成芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：一种化合物霍尔集成芯片及其制备方法，其中制备方法为在器件制造工序完成后的硅基信号调理芯片的晶圆表面通过黄光和蚀刻形成凹槽，在凹槽内分别沉积介质薄膜和有机粘接胶，然后将化合物霍尔元件装配至凹槽的内部，再使用介质层填充凹槽，最后利用CONTACT、VIA、互连线实现化合物霍尔元件与硅基信号调理芯片的调理电路之间的信号连接，最终得到化合物霍尔集成芯片。本发明通过异质集成将化合物霍尔元件和硅基信号调理芯片集合在一起形成一个单独的化合物霍尔集成芯片，相比于单芯片硅基霍尔来说具有灵敏度和温漂特性等性能优势。

本发明授权一种化合物霍尔集成芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种化合物霍尔集成芯片的制备方法，其特征在于：在器件制造工序完成后的硅基信号调理芯片的晶圆表面通过黄光和蚀刻形成凹槽，在凹槽内分别沉积介质薄膜和涂覆有机粘接胶，然后将化合物霍尔元件装配至凹槽的内部，再使用介质层填充凹槽，最后利用CONTACT、VIA、互连线实现化合物霍尔元件与硅基信号调理芯片的调理电路之间的信号连接，最终得到所述化合物霍尔集成芯片；由如下步骤进行：S1、对晶圆进行器件制造工序，得到硅基信号调理芯片；S2、在S1得到的硅基信号调理芯片的晶圆表面通过黄光和蚀刻形成凹槽，并在凹槽内沉积介质层和涂覆有机粘接胶；S3、将所述化合物霍尔元件装配至S2得到的凹槽的内部，进入S4；S4、在晶圆表面沉积介质层，使所述介质层填充所述凹槽与所述化合物霍尔元件之间的空隙，从而完成芯片表面平坦化操作并进入S5；S5、进行CONTACT制造工序，然后再进行互连线制造工序，所述互连线制造工序包括VIA结构、METAL结构、输出信号焊盘PAD及钝化层结构的制作，实现化合物霍尔元件与硅基信号调理芯片的调理电路之间的信号连接，最后得到所述化合物霍尔集成芯片。

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