普赛微科技(杭州)有限公司张栋山获国家专利权
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龙图腾网获悉普赛微科技(杭州)有限公司申请的专利一种堆叠电容器的封装结构和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411459818.X，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权一种堆叠电容器的封装结构和制备方法是由张栋山;刘瑞盛;喻涛;余纪文设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种堆叠电容器的封装结构和制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种堆叠电容器的封装结构和制备方法，其中封装结构包括半导体衬底，其第一表面沉积金属薄膜层形成底部金属层；柱状阵列包括底部金属层和若干垂直承载于底部金属层且与其连通的立柱，柱状阵列表面沉积有若干间隔设置的介质层和金属层；台阶部包括若干层平行于底部金属层上表面的台阶，每层台阶的上表面和下表面分别与金属层和介质层一一对应；连接部包括若干垂直承载于台阶的上表面并与其连通的贯通电极；分别将若干贯通连通作为堆叠电容器的正极和负极；填充介质层包括填充于立柱之间的第一电容介质层和填充于贯通电极之间的第二电容介质层，解决了传统深沟槽电容器中的沟槽填充难，刻蚀控制复杂和成本高的问题。
本发明授权一种堆叠电容器的封装结构和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种堆叠电容器的封装结构，其特征在于，至少包括：半导体衬底，半导体衬底的第一表面沉积金属薄膜层形成底部金属层；柱状阵列，至少包括底部金属层和若干垂直承载于底部金属层上且与其连通的立柱，所述柱状阵列表面沉积有若干间隔设置的介质层和金属层，其中所述柱状阵列表面沉积的金属层至少包括两层，所述立柱采用金属材料；台阶部，包括若干层平行设置于底部金属层上表面的台阶，每层台阶的上表面与沉积在立柱表面的金属层及底部金属层分别一一对应，除第一台阶外，其余各层台阶下表面与沉积在立柱表面的介质层一一对应；连接部，所述连接部包括若干贯通电极，所述贯通电极垂直承载于台阶的上表面并分别与对应的台阶的上表面连通；分别将若干所述贯通电极连通作为堆叠电容器的正极和负极从而实现电容并联；填充介质层，所述填充介质层至少包括填充于立柱之间的第一电容介质层和填充于贯通电极之间的第二电容介质层。
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