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龙图腾网获悉电子科技大学中山学院申请的专利分区休眠式可调分辨率的电容阵列模数转换器及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119254232B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411438803.5，技术领域涉及：H03M1/46；该发明授权分区休眠式可调分辨率的电容阵列模数转换器及其方法是由胡云峰;唐彬;蔡佳祺;游宇涵;林锦宏;黄庆明;袁冰冰;胡梦思设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本分区休眠式可调分辨率的电容阵列模数转换器及其方法在说明书摘要公布了：分区休眠式可调分辨率的电容阵列模数转换器，包括：正相转换电容阵列，包括正相高电容阵列和正相低电容阵列；反相转换电容阵列，包括反相高电容阵列和反相低电容阵列；采样模块，用于从所有电容单元的顶板上对输入信号进行初始采样；比较器，用于对输入信号或者正相转换电容阵列与反相转换电容阵列的状态进行比较并且输出位数据；移位寄存器，用于存储位数据；状态切换模块，用于与桥接开关配合控制所有电容单元的电路连接状态，电路连接状态包括连接状态和电压状态。本发明通过分区休眠的方式降低了电容单元所需的能耗，减少了单位电容数量，使得模数转换器整体功耗得以减小。

本发明授权分区休眠式可调分辨率的电容阵列模数转换器及其方法在权利要求书中公布了：1.分区休眠式可调分辨率的电容阵列模数转换器，其特征在于，包括：正相转换电容阵列，包括正相高电容阵列和正相低电容阵列；反相转换电容阵列，包括反相高电容阵列和反相低电容阵列；正相高电容阵列、正相低电容阵列、反相高电容阵列和反相低电容阵列均包括多个按序排列的电容单元，且相邻的两个电容单元之间设置有桥接开关；在多个按序排列的电容单元中，第一个电容单元包括两个单位电容和一个扩展电容，并且两个单位电容并联后与扩展电容串联，扩展电容的容值为单位电容的二倍，第二个电容单元包括一个单位电容，从第三个电容单元开始后一个电容单元包括前一个电容单元的全部以及一个容值等于前一个电容单元总容值的高值电容；采样模块，用于从所有电容单元的顶板上对输入信号进行初始采样；比较器，用于对输入信号或者正相转换电容阵列与反相转换电容阵列的状态进行比较并且输出位数据；移位寄存器，用于存储位数据；状态切换模块，用于与桥接开关配合控制所有电容单元的电路连接状态，电路连接状态包括连接状态和电压状态。

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