北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学陈燕宁获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学申请的专利有源区分构式测试单元、多晶硅栅线宽粗糙度测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170602B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411308783.X，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权有源区分构式测试单元、多晶硅栅线宽粗糙度测试方法是由陈燕宁;刘芳;吕军军;陶然;吴永玉;吴波;邓永峰;郁文设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本有源区分构式测试单元、多晶硅栅线宽粗糙度测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提供一种有源区分构式测试单元、多晶硅栅线宽粗糙度测试方法。所述有源区分构式测试单元包括有源区以及多晶硅栅，有源区包括多个相互隔离的有源子区，多个相互隔离的有源子区沿所述多晶硅栅的长度方向排布；每个有源子区包括一个源区及一个漏区；多个有源子区的源区及漏区单独连接金属引线，与多个有源子区的源区及漏区连接的金属引线通过多层的金属互联层连接对应的测试键；每个有源子区的线宽均可调节，多晶硅栅的长度跟随多个有源子区的线宽的调节发生变化。本发明可以通过调节有源区的线宽使多晶硅栅的长度发生变化，从而使多晶硅栅的线宽粗糙度发生变化，获得多晶硅栅线宽粗糙度与电性参数之间的相关性。
本发明授权有源区分构式测试单元、多晶硅栅线宽粗糙度测试方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅栅线宽粗糙度测试方法，其特征在于，所述方法基于有源区分构式测试单元，所述有源区分构式测试单元包括：有源区以及位于有源区上方的多晶硅栅，多晶硅栅与对应的测试键连接，有源区包括多个相互隔离的有源子区，多个相互隔离的有源子区沿多晶硅栅的长度方向排布，每个有源子区包括一个源区及一个漏区，多个有源子区的源区及漏区单独连接金属引线，与多个有源子区的源区及漏区连接的金属引线通过多层的金属互联层连接对应的测试键；所述方法包括：调节所述有源区分构式测试单元的有源区的线宽，使多晶硅栅的长度跟随有源区的线宽的调节发生变化，以使多晶硅栅的线宽粗糙度发生变化；在多晶硅栅的长度发生变化的过程中，测试对应的电性参数，并计算多晶硅栅的长度的变量及对应的线宽粗糙度的变量；根据多晶硅栅的线宽粗糙度的变量及对应的电性参数评估MOS器件的电性能。
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