中国原子能科学研究院王东杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国原子能科学研究院申请的专利金属钨的缺陷的模拟方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119229992B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411290483.3,技术领域涉及:G16C20/10;该发明授权金属钨的缺陷的模拟方法是由王东杰;吴石;潘才富;贺新福;豆艳坤;贾丽霞;曹金利;王瑾;赵永鹏;杨文设计研发完成,并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属钨的缺陷的模拟方法在说明书摘要公布了:本申请的实施例涉及计算机材料科学领域,具体涉及一种金属钨的缺陷的模拟方法,缺陷是由金属钨受到He离子以及W离子辐照产生的。模拟方法包括如下步骤:S1:模拟He离子以及W离子辐照金属钨;S2:确定S1步骤的金属钨辐照后的金属钨的离位损伤峰值位置;S3:确定离位损伤峰值位置的金属钨中的缺陷团簇的源项;S4:简化缺陷团簇的构型空间;S5:确定不同类型的缺陷团簇的反应系数;S6:根据源项、构型空间以及反应系数,确定缺陷团簇在辐照时间内的浓度;S7:根据浓度,确定金属钨的缺陷的模拟。本申请的实施例提供的模拟方法有利于提高对金属钨的缺陷的模拟的准确性,还有利于提高对金属钨的缺陷的模拟的效率。
本发明授权金属钨的缺陷的模拟方法在权利要求书中公布了:1.一种金属钨的缺陷的模拟方法,所述缺陷是由所述金属钨受到He离子以及W离子辐照产生的,其特征在于,其包括如下步骤:S1:模拟所述He离子以及所述W离子辐照所述金属钨;S2:确定S1步骤的所述金属钨辐照后的金属钨的离位损伤峰值位置;S3:确定所述离位损伤峰值位置的所述金属钨中的缺陷团簇的源项;S4:简化所述缺陷团簇的构型空间;S5:确定不同类型的所述缺陷团簇的反应系数;S6:根据所述源项、所述构型空间以及所述反应系数,确定所述缺陷团簇在辐照时间内的浓度;S7:根据所述浓度,确定所述金属钨的缺陷的模拟;在S6步骤中,所述源项、所述构型空间、所述反应系数以及所述缺陷团簇在辐照时间内的浓度满足以下表达式: ,i=1~N其中为第i种所述缺陷团簇的浓度,t为辐照时间,为所述源项,为位错、晶界、表面对第i种所述缺陷团簇的总吸收速率,为缺陷团簇j与缺陷团簇k结合形成缺陷团簇i的反应系数,为缺陷团簇i与缺陷团簇j结合形成缺陷团簇k的反应系数,N为所述缺陷团簇在所述构型空间的总数;所述缺陷团簇的构型空间为二维空间;在S4步骤中,还包括:S41:忽略IxHey和IxHeyVz团簇;S42:确定VxHey团簇的构型空间的上限;S43:确定VxHey团簇的构型空间的下限。
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