北京中科银河芯科技有限公司韩荆宇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京中科银河芯科技有限公司申请的专利一种振荡器电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119154806B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411274185.5,技术领域涉及:H03B5/04;该发明授权一种振荡器电路是由韩荆宇;郭桂良设计研发完成,并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种振荡器电路在说明书摘要公布了:本发明公开一种振荡器电路,涉及振荡器技术领域,以解决现有技术中振荡器的抗干扰性低的问题。振荡器电路包括:目标振荡器;所述目标振荡器的信号输入端和输出端分别连接一个振幅调节电路;每个振幅调节电路包括峰值检测控制电路和吸收负阻电路;所述峰值检测控制电路与所述吸收负阻电路通过热交换的方式耦合,所述峰值检测控制电路限制峰值平均电压提高的速度;所述吸收负阻电路吸收所述目标振荡器产生的负阻以调节所述目标振荡器的振幅。通过热交换的耦合方式隔离了峰值检测控制电路和吸收负阻电路的直接连接,降低了峰值检测控制电路中有害谐波对吸收负阻电路的干扰,提高目标振荡器的抗干扰性。
本发明授权一种振荡器电路在权利要求书中公布了:1.一种振荡器电路,其特征在于,包括:目标振荡器;所述目标振荡器的信号输入端和所述目标振荡器的信号输出端分别连接一个振幅调节电路;每个振幅调节电路包括峰值检测控制电路和吸收负阻电路;所述峰值检测控制电路与所述吸收负阻电路通过热交换的方式耦合;所述峰值检测控制电路控制所述吸收负阻电路吸收所述目标振荡器产生的负阻,以调节所述目标振荡器的振幅;所述吸收负阻电路包括启动模块、温度感应模块和负阻吸收模块;所述启动模块、所述温度感应模块和所述负阻吸收模块两两连接;所述峰值检测控制电路中的加热电阻丝通过热传递的方式向所述温度感应模块传递热量;所述启动模块包括第五PMOS管、第六PMOS管和第一电阻;所述第五PMOS管的源极接入对应的电源电压;所述第一电阻的第一端和所述第六PMOS管的栅极均与所述第五PMOS管的漏极相连;所述第六PMOS管的漏极接地;所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的漏极均与所述温度感应模块相连;所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的源极还均与所述负阻吸收模块相连;所述温度感应模块包括第一三极管、第二三极管、第三三极管和第二电阻;所述第一三极管的集电极接入对应的电源电压,所述第一三极管的基极与所述第二三极管的集电极相连;所述第二三极管的基极和所述第三三极管的基极均与所述第一三极管的发射极相连;所述第三三极管的发射极与所述第二电阻的第一端相连;所述第二电阻的第二端和所述第二三极管的发射极均接地;所述第三三极管的集电极与所述第五PMOS管的基极相连;所述第三三极管的集电极还与所述第六PMOS管的源极相连;所述负阻吸收模块包括第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第三电阻、第四电阻和第四三极管;所述第七PMOS管的栅极、所述第八PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极均与所述第五PMOS管的栅极相连;所述第七PMOS管的源极、第八PMOS管的源极和所述第九PMOS管的源极均接入对应的电源电压;所述第二三极管的集电极与所述第七PMOS管的漏极相连;所述第三三极管的集电极和所述第六PMOS管的源极均与所述第八PMOS管的漏极相连;所述第九PMOS管的漏极与所述第三电阻的第一端相连;所述第四三极管的基极和第四电阻的第一端均与所述第三电阻的第二端相连;所述第四电阻的第二端和所述第四三极管的发射极均接地;所述第四三极管的集电极与所述目标振荡器的信号输入端或者所述目标振荡器的信号输出端相连。
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