湖南蓝芯微电子科技有限公司程海林获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南蓝芯微电子科技有限公司申请的专利阱层垒层之间插入超晶格的外延结构、生长方法及二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118099304B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410248666.2，技术领域涉及：H10H20/811；该发明授权阱层垒层之间插入超晶格的外延结构、生长方法及二极管是由程海林;朱帅设计研发完成，并于2024-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本阱层垒层之间插入超晶格的外延结构、生长方法及二极管在说明书摘要公布了：本发明涉及一种阱层垒层之间插入超晶格的外延结构、生长方法及二极管，属于LED半导体技术领域；外延结构包括多量子阱层，所述多量子阱层包括InGaN阱层与GaN垒层交替层叠的周期性结构，各InGaN阱层与GaN垒层之间插入BInGaN和AlInGaN的超晶格结构；生长方法包括提供一蓝宝石衬底，并在蓝宝石衬底上依次生长AlN缓冲层、三维成核层、二维缓冲恢复层、u型GaN层、n型GaN层、应力释放层、多量子阱层和p型层之间；二极管包括上述的外延结构；以提高发光二极管发光效率。
本发明授权阱层垒层之间插入超晶格的外延结构、生长方法及二极管在权利要求书中公布了：1.一种阱层垒层之间插入超晶格的外延结构，包括多量子阱层8，其特征在于，所述多量子阱层8包括InGaN阱层81与GaN垒层83交替层叠的周期性结构，各InGaN阱层81与GaN垒层83之间插入BInGaN和AlInGaN的超晶格结构82；所述BInGaN和AlInGaN的超晶格结构82的BInGaN中的B组分含量从所述InGaN阱层81一侧向所述GaN垒层83一侧逐渐增大，In组分含量从所述InGaN阱层81一侧向所述GaN垒层83一侧逐渐减小；所述BInGaN和AlInGaN的超晶格结构82的AlInGaN中的Al组分含量从所述InGaN阱层81一侧向所述GaN垒层83一侧逐渐增大，In组分含量从所述InGaN阱层81一侧向所述GaN垒层83一侧逐渐减小。
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