恭喜格科微电子(上海)有限公司赵立新获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网恭喜格科微电子(上海)有限公司申请的专利减少背照式图像传感器暗电流的方法及背照式图像传感器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111048541B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911347538.9,技术领域涉及:H10F39/18;该发明授权减少背照式图像传感器暗电流的方法及背照式图像传感器是由赵立新;黄琨;李杰;付文设计研发完成,并于2019-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本减少背照式图像传感器暗电流的方法及背照式图像传感器在说明书摘要公布了:本发明提供一种用于减少背照式图像传感器暗电流的方法,不采用通过P型重掺杂通孔方式连接衬底方式,而采用深层P型掺杂区域连接相邻的像素单元的P型掺杂阱区域,从而减少像素单元间的连通电阻,实现像素阵列上下行的连通,进而得以取消阵列中部的衬底连接,免除像素阵列中接地接触的暗电流影响,经试验数据验证优化了成像质量,提高了图像传感器的整体性能。
本发明授权减少背照式图像传感器暗电流的方法及背照式图像传感器在权利要求书中公布了:1.一种用于减少背照式图像传感器暗电流的方法,其特征在于,背照式图像传感器取消接地的P型掺杂通孔,所述图像传感器的像素单元之间的部分边界上放置有晶体管,所述晶体管具有n型掺杂区,采用深层P型掺杂区域连接相邻的像素单元的P型掺杂阱区域,所述深层P型掺杂区域绕过所述n型掺杂区,减少像素单元间的连通电阻,实现像素阵列上下行的连通;进而取消像素阵列的衬底连接,消除或减少像素阵列中接地接触的暗电流影响。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人格科微电子(上海)有限公司,其通讯地址为:201203 上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。