恭喜苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730703B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980102497.9，技术领域涉及：H01L21/20；该发明授权半导体结构及其制作方法是由程凯设计研发完成，并于2019-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其制作方法，提供P型半导体层11，P型半导体层包括GaN基材料，且上表面11a为Ga面；在P型半导体层上形成第一N型半导体层12，第一N型半导体层包括GaN基材料，且上表面12a为N面；湿法刻蚀去除部分区域的第一N型半导体层，暴露所述P型半导体层。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供P型半导体层（11），所述P型半导体层（11）包括GaN基材料，且上表面（11a）为Ga面；在所述P型半导体层（11）上形成第一N型半导体层（12），所述第一N型半导体层（12）包括GaN基材料，且上表面（12a）为N面；湿法刻蚀去除部分区域的第一N型半导体层（12），暴露所述P型半导体层（11）；其中，利用湿法刻蚀的方向性，使得从第一N型半导体层的N面开始刻蚀，自动停止于P型半导体层的Ga面；其中，在所述P型半导体层（11）上形成上表面（12a）为N面的第一N型半导体层（12）通过：将所述第一N型半导体层（12）的Ga面直接与所述P型半导体层（11）的Ga面键合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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