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龙图腾网恭喜河北新华北集成电路有限公司申请的专利毫米波频段放大器芯片封装结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110739288B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911101347.4，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权毫米波频段放大器芯片封装结构及制作方法是由张晓朋;吴兰;高博;曲韩宾;邢浦旭;崔培水;谷江设计研发完成，并于2019-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本毫米波频段放大器芯片封装结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种毫米波频段放大器芯片封装结构及制作方法，涉及芯片封装技术领域，包括芯片、封装基板和封盖；封装基板上设有自上而下顺次层叠设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层以及第三金属层，封盖设置于封装基板上且用于封盖封装基板，封盖设有开口向下的内腔。本发明提供的毫米波频段放大器芯片封装结构形式，采用封装基板和封盖结合的形式，并在封装基板上设置容纳槽的形式实现对芯片的容纳，有效的缩短了芯片与封装基板之间的连接长度，便于降低寄生电感，提高了芯片的传输能力。带有内腔的封盖使芯片的芯片直流端口与封装基板的连接直接接触空气，降低了高频波段的损耗，提高了芯片的自身射频性能。

本发明授权毫米波频段放大器芯片封装结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.毫米波频段放大器芯片封装结构，其特征在于，包括芯片、封装基板和封盖；芯片的上表面外周设有若干个芯片直流端口以及至少两个芯片射频端口；封装基板设有自上而下顺次层叠设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层以及第三金属层，所述第一金属层的中部以及所述第一介质层的中部分别设有上下贯通的通孔，所述第一金属层和所述第一介质层的内壁与所述第二金属层形成用于容纳所述芯片的容纳槽；封盖设置于所述封装基板上且用于封盖所述封装基板，所述封盖设有开口向下的内腔；所述第一金属层包括若干个与所述芯片直流端口相对应的第一直流端口以及与所述芯片射频端口相对应的第一射频端口，相邻两个所述第一直流端口之间间隔设置；所述第二金属层上与所述第一直流端口和所述第一射频端口上下对应的位置设有避让槽；所述第三金属层包括若干个与所述第一直流端口上下一一相对应的第三直流端口、与所述第一射频端口上下一一对应且相连的第三射频端口以及位于若干个所述第三直流端口中部的第一中心层，相邻两个所述第三直流端口之间间隔设置，且所述第三直流端口与所述第一中心层之间间隔设置；所述第一射频端口远离所述芯片的一端设有第一半圆部，所述第三射频端口靠近所述芯片的一端设有第二半圆部，所述第二半圆部与所述第一半圆部上下对应且通过金属化通孔相连。

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