恭喜株式会社京三制作所国玉博史获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社京三制作所申请的专利开关模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114586281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980101404.0，技术领域涉及：H03F3/217；该发明授权开关模块是由国玉博史;吉田卓矢设计研发完成，并于2019-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本开关模块在说明书摘要公布了：本发明涉及一种开关模块，其将MOSFET和向该MOSFET的栅极电极施加驱动电压的驱动电路安装在基板上。本发明的开关模块中，驱动电路在与栅极电极之间经由阻尼调整元件和接合线而与MOSFET电连接。
本发明授权开关模块在权利要求书中公布了：1.一种开关模块，其将MOSFET和向该MOSFET的栅极电极施加栅极驱动电压的驱动电路安装在基板上，其特征在于，所述驱动电路与所述栅极电极之间经由阻尼调整元件和接合线，将所述驱动电路与所述MOSFET电连接，所述阻尼调整元件至少包括栅极电阻，所述栅极电阻用于控制来自所述驱动电路的栅极驱动电压的施加结束之后的返回电压的衰减率，栅极源极电压Vgs的振幅衰减的阻尼常数ζ通过下式来定义： 其中，Ciss为输入电容，定义为Ciss＝Cgs+Cgd，其中Cgs和Cgd为MOSFET的栅极源极电容和栅极漏极电容，Ls和Rs为所述接合线的杂散电感和电阻成分，Rg为所述阻尼调整元件的栅极电阻，所述栅极电阻Rg的电阻值被设定为使得来自所述驱动电路的栅极源极电压Vgs断开之后的一个周期后的栅极源极电压Vgs1不超过MOSFET成为接通状态的阈值电压Vth，所述栅极源极电压Vgs1由下式来定义： 其中，Vdr为所述驱动电路的输出电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社京三制作所，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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