恭喜朗姆研究公司巴特·J·范施拉芬迪克获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112435934B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010952967.5，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权封装方法是由巴特·J·范施拉芬迪克;阿希尔·辛格哈尔;魏鸿吉;巴德里·N·瓦拉达拉简;凯文·M·麦克劳克林;凯西·霍尔德;阿南达·K·巴纳基设计研发完成，并于2017-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供了封装方法，具体提供了适于在低于约300℃的温度下沉积低氢含量的、密封的薄封装层的方法和装置。方法包括在将衬底暴露于沉积反应物时对等离子体施以脉冲，并且对沉积的封装膜后处理以使其致密化并降低氢含量。后处理方法包括在低于约300℃的衬底温度下周期性地暴露于没有反应物的惰性等离子体并暴露于紫外辐射。
本发明授权封装方法在权利要求书中公布了：1.一种在处理室中封装衬底上的存储器装置的方法，所述方法包括：在低于300℃的衬底温度下将位于所述处理室内的具有存储器装置的所述衬底暴露于沉积前体；在远程等离子体发生器中产生反应性物质；以及将所述反应性物质引入所述处理室以与所述沉积前体反应以在所述存储器装置上方沉积封装层，其中沉积在所述存储器装置上的所述封装层具有介于70％和90％之间的台阶覆盖率；其中所述封装层选自氮化硅、未掺杂的碳化硅、掺杂氧的碳化硅、氮化锗、未掺杂的碳化锗和掺杂氧的碳化锗，其中沉积所述封装层包括：a使反应物流到远程等离子体产生区域并点燃等离子体以产生包括反应物自由基的所述反应性物质；b通过喷头将所述反应物自由基引入所述衬底；以及c在引入所述反应物自由基时将所述喷头下游的所述沉积前体引入所述衬底。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号