恭喜意法半导体(图尔)公司S·蒙纳德获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(图尔)公司申请的专利保护以防过热的功率部件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206077B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110466028.4，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权保护以防过热的功率部件是由S·蒙纳德设计研发完成，并于2016-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本保护以防过热的功率部件在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及保护以防过热的功率部件。三端双向可控硅开关具有从硅衬底形成的竖直结构，硅衬底具有上侧表面。上侧表面上的主涂敷金属的第一部分置于被形成在第二传导类型的层中的第一传导类型的第一区域上。主涂敷金属的第二部分置于上述层的部分上。上侧表面上的栅极涂敷金属置于在第一区域的附近形成在上述层中的第一传导类型的第二区域上。在上侧表面上形成在上述层中的多孔硅棒具有与栅极涂敷金属接触的第一端以及与主涂敷金属接触的第二端。
本发明授权保护以防过热的功率部件在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括：硅衬底，具有上表面侧和下表面侧，并且包括层的堆叠，所述层的堆叠包括：掺杂有第一传导类型的第一层、掺杂有第二传导类型的第二层、以及掺杂有所述第一传导类型的第三层；第一金属化层，在所述上表面侧上，并且具有第一部分，所述第一部分置于所述第二传导类型的第一掺杂区域上，所述第一掺杂区域被形成在所述第三层中；栅极金属化层，在所述上表面侧上，并且置于所述第二传导类型的第二掺杂区域上，所述第二掺杂区域被形成在所述第三层中；多孔硅棒，被形成在所述第三层中，其中所述多孔硅棒的第一端与所述第一掺杂区域和所述第一金属化层接触，并且其中所述多孔硅棒的第二端与所述第二掺杂区域和所述栅极金属化层接触；以及第二金属化层，在所述下表面侧上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(图尔)公司，其通讯地址为：法国图尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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