买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜福建中科光芯光电科技有限公司申请的专利一种衬底集成、自组装、自对准微透镜组的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119805632B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510279836.8，技术领域涉及：G02B3/00；该发明授权一种衬底集成、自组装、自对准微透镜组的制备方法是由熊祎灵;苏辉设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种衬底集成、自组装、自对准微透镜组的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种衬底集成、自组装、自对准微透镜组的制备方法，属于光芯片的微纳加工技术领域。所述方法，在完成正面外延结构并减薄抛光后，在晶圆背面进行二次外延并制作种子层，通过S‑K生长法依次生长一层浸润层和一层透镜层，最终在晶圆背面交替生长N个浸润层和N个透镜层，形成外延结构；将形成的外延结构进行自上而下刻蚀，直至刻蚀深度覆盖所有浸润层，形成刻蚀窗口；腐蚀形成的刻蚀窗口内及周围的浸润层，只留下透镜层，并在之间填充透明的材料进行加固。本发明基于S‑K生长，使得微透镜组的实际制备在外延生长阶段就一步到位，省去生产流转过程中多各环节积累的误差、污染等不利因素，精度和良率得到充分保证。

本发明授权一种衬底集成、自组装、自对准微透镜组的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种衬底集成、自组装、自对准微透镜组的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在衬底上生长光芯片外延各功能层；S2、完成正面外延结构并减薄抛光后，在晶圆背面进行二次外延并制作种子层，种子层位置与设计的光芯片有源区同轴，即种子层中每个种子的位置需要与各个光芯片有源区同轴；S3、通过混合生长模式依次生长一层浸润层和一层透镜层，透镜层的四周通过支柱与种子层相连接，透镜层的其余部分遵循层状生长模式在浸润层上以二维方式均匀地沉积一层或几层原子；当沉积达到预定厚度后，生长模式转变为岛状生长模式，此时三维岛屿在种子层中相应种子所对应位置形成；S4、重复步骤S3，最终在晶圆背面交替生长N个浸润层和N个透镜层，形成外延结构；S5、将步骤S4形成的外延结构进行自上而下刻蚀，直至刻蚀深度覆盖所有浸润层，形成刻蚀窗口；S6、腐蚀步骤S5形成的刻蚀窗口内及刻蚀窗口周围的浸润层，只留下透镜层，并在刻蚀掉的部分填充透明的材料进行加固。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建中科光芯光电科技有限公司，其通讯地址为：362712 福建省泉州市石狮市高新区创新创业中心11#厂房1层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。