恭喜英飞凌科技股份有限公司R.鲁普获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利碳化硅半导体构件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110299399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910221793.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权碳化硅半导体构件是由R.鲁普;L.维尔哈恩-基利安;B.齐佩柳斯设计研发完成，并于2019-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅半导体构件在说明书摘要公布了：半导体构件（500）具有SiC半导体本体（100）。在所述SiC半导体本体（100）中构造有第一导电型的漂移区（131）和半导体区域（120、140）。从半导体区域（120、140）延伸到漂移区（131）中的屏障结构（180）和栅结构（150）不同。
本发明授权碳化硅半导体构件在权利要求书中公布了：1.半导体构件，该半导体构件具有：SiC半导体本体100，在所述SiC半导体本体中构造有第一导电型的漂移区131和半导体区域120、140；其中，所述SiC半导体本体100的多型体是4H-SiC多型体，其中，在所述漂移区131和半导体区域120、140之间构造有结，并且其中，主晶格面401是0001晶格面，所述主晶格面以至少2°并且最高8°的角度α斜向穿过所述结；栅结构150；以及屏障结构180，所述屏障结构从所述半导体区域120、140延伸到所述漂移区131中，其中所述屏障结构180和所述栅结构150不同，其中，所述屏障结构180具有横向范围w1并且垂直于所述横向范围w1具有纵向范围l1，所述纵向范围是所述横向范围w1的至少五倍，其中所述纵向范围l1平行于在所述主晶格面401和所述结之间的交线延伸，其中，所述屏障结构180能够阻止晶体缺陷沿着所述主晶格面401的扩散。
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