恭喜株式会社半导体能源研究所濑尾哲史获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利发光元件、发光装置、电子设备及照明装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113880884B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111075518.8，技术领域涉及：C07F15/00；该发明授权发光元件、发光装置、电子设备及照明装置是由濑尾哲史;井上英子;栗原美树;山田唯;高桥辰义;木户裕允设计研发完成，并于2017-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光元件、发光装置、电子设备及照明装置在说明书摘要公布了：提供一种可靠性高的新颖有机金属配合物。发光元件在一对电极间包括EL层。EL层至少包括发光层。发光层包含有机金属配合物。有机金属配合物包括配位于中心金属的第一配体及第二配体。HOMO分布在第一配体上，LUMO分布在第二配体上。第一配体及第二配体是环金属化配体。
本发明授权发光元件、发光装置、电子设备及照明装置在权利要求书中公布了：1.一种发光装置，所述发光装置在一对电极间包括EL层，其中，所述EL层至少包括发光层，所述发光层包含有机金属配合物，所述有机金属配合物以通式G1表示： R1至R15独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、未取代的碳原子数为6至13的芳基或者未取代的碳原子数为3至12的杂芳基中的任一个。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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