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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利基于阵列型量子自旋霍尔效应绝缘体材料的暂态电压检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020584B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210492913.4，技术领域涉及：H10N52/01；该发明授权基于阵列型量子自旋霍尔效应绝缘体材料的暂态电压检测方法是由余勇;邓洪祥;吕海峰设计研发完成，并于2022-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于阵列型量子自旋霍尔效应绝缘体材料的暂态电压检测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于阵列型量子自旋霍尔效应绝缘体材料的暂态电压检测方法。本发明属于新型电子材料领域，提供了一种暂态电压检测方法，可以实现在电子响应时间精度内对瞬态电压进行测量。主要方案包括，步骤1：使用第一性原理计算确定具有不同带隙的量子自旋霍尔效应绝缘体材料，同时选择与之晶格匹配的普通层状绝缘体材料，计算能带结构并分析其费米能级附近电子和空穴的行为；步骤2：通过层间范德华作用将计算获得的具有不同带隙的量子自旋霍尔效应绝缘体材料与普通绝缘体材料进行晶格匹配，搭建成按顺序堆叠的多层材料单元，同时通过计算多层材料单元声子色散来检测其动力学稳定性；步骤3：将稳定的多层材料单元组合成阵列式传感器，采用化学气相沉积法进行制备，并对传感器阵列的性能参数进行测试。

本发明授权基于阵列型量子自旋霍尔效应绝缘体材料的暂态电压检测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于阵列型量子自旋霍尔效应绝缘体材料的暂态电压检测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：使用第一性原理计算确定具有不同带隙的量子自旋霍尔效应绝缘体材料，量子自旋霍尔效应绝缘体材料为可进行范德华力堆叠的纳米级材料，单层量子自旋霍尔效应绝缘体材料能带结构的导带底与价带顶间隙在0.01eV到0.1eV之间，且费米能级附近的能带轨道通过不同元素的能级分布在导带和价带两侧实现区分，并具有能带反转与非平凡拓扑特性；同时选择与之晶格匹配的普通层状绝缘体材料，普通层状绝缘体材料为可进行范德华力堆叠的纳米材料，且为单层六角氮化硼（h-BN），计算能带结构并分析其费米能级附近电子和空穴的行为；步骤2：通过层间范德华作用将计算获得的具有不同带隙的量子自旋霍尔效应绝缘体材料与普通绝缘体材料进行晶格匹配，搭建成按顺序堆叠的多层材料单元，同时通过计算多层材料单元声子色散来检测其动力学稳定性，并确定性能参数，性能参数包括：（1）边沿面积比：量子自旋霍尔效应绝缘体材料边沿面积与多层材料边沿面积之比；（2）边缘传输通道：量子自旋霍尔效应绝缘体材料单位能隙大小；步骤3：将稳定的多层材料单元组合成阵列式传感器，采用化学气相沉积法进行制备，并对传感器阵列的性能参数进行测试。

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