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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利光电倍增管单光电子响应刻度方法、装置及探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114705308B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210407382.4，技术领域涉及：G01J11/00；该发明授权光电倍增管单光电子响应刻度方法、装置及探测器是由江琨;王岩;唐泽波;查王妹;李澄;沈凯峰设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电倍增管单光电子响应刻度方法、装置及探测器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种光电倍增管单光电子响应刻度方法、装置、设备、介质和探测器。该方法包括：分别在m个光强下获取光电倍增管输出信号的电荷谱，得到m个电荷谱；分别确定m个电荷谱中落于目标电荷区间内的光电子事例数，得到m个第一事例数；依据m个第一事例数与光电子事例数概率分布模型，得到单光电子响应函数在目标电荷区间内的概率；以第一区间宽度为步长，更新目标电荷区间，重复执行获取单光电子响应函数在目标电荷区间内的概率的操作，直至以第一区间宽度遍历电荷谱中所有电荷值，从而得到单光电子的电荷响应分布函数，以及依据单光电子的电荷响应分布函数确定针对光电倍增管的单光电子响应信息。

本发明授权光电倍增管单光电子响应刻度方法、装置及探测器在权利要求书中公布了：1.一种光电倍增管单光电子响应刻度方法，其特征在于，包括：在m个光强下，分别获取光电倍增管输出信号的电荷谱，得到m个电荷谱；m为大于3的整数；分别确定m个电荷谱中落于目标电荷区间内的光电子事例数，得到m个第一事例数；所述目标电荷区间具有第一区间宽度；依据所述m个第一事例数以及光电子事例数概率分布模型，得到单光电子响应函数在所述目标电荷区间内的概率；所述光电子事例数概率分布模型表征了不同电荷谱中落于所述第一区间宽度内的光电子事例数的概率分布情况；以所述第一区间宽度为步长，更新所述目标电荷区间，重复执行获取单光电子响应函数在所述目标电荷区间内的概率的操作，直至以所述第一区间宽度遍历电荷谱中所有电荷值，得到多个单光电子响应函数在所述目标电荷区间内的概率；依据所述多个单光电子响应函数在所述目标电荷区间内的概率，得到单光电子的电荷响应分布函数；以及依据所述单光电子的电荷响应分布函数，确定针对所述光电倍增管的单光电子响应信息；所述m个电荷谱包括无光测量条件下得到的电荷谱以及（m-1）个不同的有光测量条件下得到的电荷谱；所述方法还包括：确定第一次有光测量条件下得到的平均光电子数；以及将所述平均光电子数应用于预先构建的光电子事例数概率分布优化模型，得到所述光电子事例数概率分布模型。

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