重庆大学郭永彩获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种紫外光可降解的阻变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210282532.3，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种紫外光可降解的阻变存储器及其制备方法是由郭永彩;高潮;徐菁设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种紫外光可降解的阻变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种紫外光可降解的阻变存储器，所述阻变存储器为电极介质电极结构，该阻变存储器结构组成从上到下依次为顶电极、介电层、底电极和衬底；其中，顶电极为金属铜Cu，介电层为聚邻苯二甲醛cPPA薄膜，底电极为氧化铟锡ITO，衬底为石英片。采用新型聚合物聚邻苯二甲醛制备得到阻变存储器，该阻变存储器具有典型的双极性阻变特性，其高低电阻比值且器件具有良好的循环耐久性，在数据保留和持久性方面显示出可重现和可靠的内存特性；并且，CucPPAITO阻变存储器可以在1000lux照度的紫外光辐射下在一小时内实现阻变介质层的降解以及顶电极金属的消解，从而使存储器件功能失效，从而实现信息安全存储及对环境的保护。
本发明授权一种紫外光可降解的阻变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种紫外光可降解的阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器为电极介质电极结构，该阻变存储器结构组成从上到下依次为顶电极、介电层、底电极和衬底；其中，顶电极为Cu，介电层为cPPA薄膜，底电极为ITO，衬底为石英片；cPPA为环聚邻苯二甲醛，且介电层中含有MBTT。
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