重庆大学郭永彩获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种紫外光可降解的瞬态电子器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114665015B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210287180.0，技术领域涉及：H10K10/29；该发明授权一种紫外光可降解的瞬态电子器件及其制备方法是由郭永彩;高潮;向林强;任浩设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种紫外光可降解的瞬态电子器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种紫外光可降解的瞬态电子器件及其制备方法，以聚合物cPPA瞬态薄膜作为中间层，制备出相应的瞬态电子器件电子器件，在紫外光照射下达到可控降解：瞬态电阻器以瞬态薄膜为器件的基底，有利于正常情况器件的稳定运行，在降解过程中基底失效从而导致电阻器功能快速失效以及物理降解。利用聚合物cPPA瞬态薄膜呈N型的特性，与半导体氧化物ZnO构成二极管的主要结构PN结，从而实现二极管的单向导电性。还利用聚合物cPPA瞬态薄膜与高k值氧化物Yi2O3构成高k值介质层，形成高k值电容，具有优异的电容性能。在紫外光下能够可控降解，在具有优异电学性能的同时能够快速可控降解。
本发明授权一种紫外光可降解的瞬态电子器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种紫外光可降解的瞬态电子器件，其特征在于，以聚合物cPPA瞬态薄膜作为中间层，再在聚合物cPPA瞬态薄膜上设置金属构件，得到紫外光可降解的瞬态电子器件；其中，所述瞬态薄膜中含有光酸产生剂MBTT，所述瞬态电子器件为瞬态二极管或者瞬态电容。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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