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龙图腾网获悉TDK株式会社申请的专利压电薄膜、压电薄膜元件及压电换能器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050888B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210188165.0，技术领域涉及：H10N30/50；该发明授权压电薄膜、压电薄膜元件及压电换能器是由森下纯平设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本压电薄膜、压电薄膜元件及压电换能器在说明书摘要公布了：压电薄膜包含第一压电层和直接重叠于第一压电层的第二压电层。第一压电层包含钙钛矿型氧化物的四方晶1。第二压电层包含钙钛矿型氧化物的四方晶2。四方晶1的001面在压电薄膜的表面的法线方向dn上取向。四方晶2的001面在压电薄膜的表面的法线方向dn上取向。四方晶1的001面的间隔为c1。四方晶1的100面的间隔为a1。四方晶2的001面的间隔为c2。四方晶2的100面的间隔为a2。c2a2大于c1a1。c1a1为1.015以上且1.050以下。

本发明授权压电薄膜、压电薄膜元件及压电换能器在权利要求书中公布了：1.一种压电薄膜，其中，是具备第一压电层、和直接重叠于所述第一压电层的第二压电层的压电薄膜，所述第一压电层包含钙钛矿型氧化物的四方晶1，所述第二压电层包含钙钛矿型氧化物的四方晶2，所述四方晶1的001面在所述压电薄膜的表面的法线方向上取向，所述四方晶2的001面在所述压电薄膜的表面的法线方向上取向，所述四方晶1的001面的间隔为c1，所述四方晶1的100面的间隔为a1，所述四方晶2的001面的间隔为c2，所述四方晶2的100面的间隔为a2，c2a2大于c1a1，c1a1为1.015以上且1.050以下，所述四方晶1以下述化学式1表示，下述化学式1中的EA为选自Na、K及Ag中的至少一种元素，下述化学式1中的EB为选自Mg、Al、Zr、Ti、Ni及Zn中的至少一种元素，下述化学式1中的x1为0.10以上且0.90以下，下述化学式1中的y1为0.05以上且0.85以下，下述化学式1中的z1为0.05以上且0.85以下，x1+y1+z1为1.00，下述化学式1中的α为0.00以上且小于1.00，所述四方晶2以下述化学式2表示，下述化学式2中的EA为选自Na、K及Ag中的至少一种元素，下述化学式2中的EB为选自Mg、Al、Zr、Ti、Ni及Zn中的至少一种元素，下述化学式2中的x2为0.10以上且0.85以下，下述化学式2中的y2为0.10以上且0.85以下，下述化学式2中的z2为0.05以上且0.80以下，x2+y2+z2为1.00，下述化学式2中的α为0.00以上且小于1.00，x1Bi1-αEAαEBO3-y1BiFeO3-z1BiFe0.5Ti0.5O31x2Bi1-αEAαEBO3-y2BiFeO3-z2BiFe0.5Ti0.5O32。

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