帕洛阿尔托研究中心公司吕正平获国家专利权
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龙图腾网获悉帕洛阿尔托研究中心公司申请的专利使用薄膜电子器件的可缩放高压控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210117590.0，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权使用薄膜电子器件的可缩放高压控制电路是由吕正平设计研发完成，并于2022-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用薄膜电子器件的可缩放高压控制电路在说明书摘要公布了：本发明题为“使用薄膜电子器件的可缩放高压控制电路”。本公开涉及一种装置，该装置包括具有第一光学开关的第一级、连接到所述第一光学开关的第一晶体管、以及连接到所述第一光学开关和所述第一晶体管的第二晶体管。所述装置还包括具有第二光学开关的第二级、连接到所述第二晶体管和所述第二光学开关的第三晶体管、以及连接到所述第二晶体管、所述第二光学开关和所述第三晶体管的第四晶体管。
本发明授权使用薄膜电子器件的可缩放高压控制电路在权利要求书中公布了：1.一种装置，包括：第一级，所述第一级包括：第一光学开关；第一晶体管，所述第一晶体管连接到所述第一光学开关；以及第二晶体管，所述第二晶体管连接到所述第一光学开关和所述第一晶体管，其中所述第二晶体管包括源极、栅极和漏极，并且其中所述第二晶体管的所述栅极由所述第一光学开关控制，并且其中所述第二晶体管包括：薄膜晶体管TFT，其栅极和漏极之间具有非栅极通道区域；栅极和漏极之间的一个或多个场板；以及第二级，所述第二级包括：第二光学开关；第三晶体管，所述第三晶体管连接到所述第二晶体管和所述第二光学开关；以及第四晶体管，所述第四晶体管连接到所述第二晶体管、所述第二光学开关和所述第三晶体管。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人帕洛阿尔托研究中心公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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