浙江英洛华磁业有限公司朱啸航获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江英洛华磁业有限公司申请的专利一种提高R-T-B磁体扩散性能的晶界扩散方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464444B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210084459.9，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权一种提高R-T-B磁体扩散性能的晶界扩散方法是由朱啸航;达明花;章兆能;陈彪;马瑜琳;付松设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高R-T-B磁体扩散性能的晶界扩散方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高R‑T‑B磁体扩散性能的晶界扩散方法：在R‑T‑B磁体基体表面覆盖扩散源，所述扩散源为重稀土，扩散源的质量为磁体基体质量的0.2％～4％；将覆盖有扩散源的磁体进行晶界扩散处理，扩散温度在800℃～1000℃，扩散时间1h～48h，在扩散的前1～3h内，调节绝对真空度在1.0*10‑3～4.6*10‑3Pa之间的高真空；之后将绝对真空度调节为3.6kpa与7.6kpa之间的低真空，晶界扩散后，冷却至室温再升温进行回火处理，制得晶界扩散后的R‑T‑B磁体。本发明可以提高磁体的Hcj且减少剩磁降低量。
本发明授权一种提高R-T-B磁体扩散性能的晶界扩散方法在权利要求书中公布了：1.一种提高R-T-B磁体扩散性能的晶界扩散方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：1在R-T-B磁体基体表面覆盖扩散源，所述扩散源为重稀土，所述扩散源的质量为磁体基体质量的0.2％～4％；2将覆盖有扩散源的磁体进行晶界扩散处理，扩散温度在800℃～1000℃，扩散时间1h～48h，在扩散的前1～3h内，调节绝对真空度在1.0*10-3～4.6*10-3Pa之间的高真空；之后将绝对真空度调节为3.6kpa与7.6kpa之间的低真空，晶界扩散后，冷却至室温再升温进行回火处理，制得晶界扩散后的R-T-B磁体。
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