北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司龙茂林获国家专利权
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龙图腾网获悉北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司申请的专利用于ICP源的冷却屏蔽体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111571118.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权用于ICP源的冷却屏蔽体是由龙茂林设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于ICP源的冷却屏蔽体在说明书摘要公布了：本公开提供了包括等离子体室和感应耦合的等离子体源的等离子体处理设备或系统。所述屏蔽装置被设置在等离子体室和感应耦合的等离子体源之间。屏蔽装置包括顶环形部分、底环形部分和多个热垫，所述热垫通过一个或多个保持构件被接合到顶环形部分和或底环形部分。所述一个或多个保持构件提供压缩力以抵靠介电壁的外表面固定一个或多个热垫。多个热垫被配置为调节从介电壁到相应热垫的热通量。本公开还公开了处理工件的方法。
本发明授权用于ICP源的冷却屏蔽体在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理设备，包括：等离子体室，包括具有外表面的介电壁；感应耦合的等离子体源，被配置为在所述等离子体室中生成等离子体；屏蔽装置，被设置在所述介电壁的所述外表面和所述感应耦合的等离子体源之间，所述屏蔽装置包括：顶环形部分；底环形部分；以及多个热垫，通过一个或多个保持构件接合到顶环形部分和或底环形部分，其中，所述一个或多个保持构件提供压缩力以抵靠所述介电壁的所述外表面固定所述多个热垫中的一个或多个热垫，所述一个或多个热垫包括外表面，所述外表面包括被配置为接合所述一个或多个保持构件的顶部和底部，其中，第一保持构件的第一端接合至所述热垫的所述顶部，并且所述第一保持构件的第二端接合至所述屏蔽装置的所述顶环形部分，其中，第二保持构件的第一端接合到所述热垫的底部，并且所述第二保持构件的第二端接合到所述屏蔽装置的所述底环形部分，以将所述热垫接合到所述屏蔽装置，其中，所述多个热垫被配置为调节从所述介电壁到相应热垫的热通量。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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