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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利包含深沟槽结构的半导体器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121775B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111413916.6，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权包含深沟槽结构的半导体器件的制作方法是由李佳龙;范晓设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本包含深沟槽结构的半导体器件的制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种包含深沟槽结构的半导体器件的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有第一外延层，第一外延层上形成有衬垫氧化层，衬垫氧化层上形成有硬掩模层，硬掩模层上形成有第一氧化层，衬底上的区域包括第一区域和第二区域，第一区域用于形成对位标记，第二区域用于形成半导体器件；通过光刻工艺进行第一刻蚀处理，在第一区域形成第一沟槽，在第二区域形成第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽的深度相同，第一沟槽和第二沟槽底部的第一外延层暴露；通过光刻工艺对第二区域进行第二刻蚀处理，使第二沟槽的深度至第一外延层中的预定区域，形成深沟槽；在第一沟槽中形成对位标记，在深沟槽中形成深沟槽结构。

本发明授权包含深沟槽结构的半导体器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种包含深沟槽结构的半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有第一外延层，所述第一外延层上形成有衬垫氧化层，所述衬垫氧化层上形成有硬掩模层，所述硬掩模层上形成有第一氧化层，所述衬底上的区域包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成对位标记，所述第二区域用于形成所述半导体器件；通过光刻工艺进行第一刻蚀处理，在所述第一区域形成第一沟槽，在所述第二区域形成第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽的深度相同，所述第一沟槽和所述第二沟槽底部的第一外延层暴露；通过光刻工艺对所述第二区域进行第二刻蚀处理，使所述第二沟槽的深度至所述第一外延层中的预定深度，形成深沟槽；在所述第一沟槽的底部，以及所述深沟槽中第一氧化层以下部位的侧壁和底部依次形成第二外延层和第二氧化层；形成第三氧化层，所述第三氧化层填充所述第一沟槽和所述深沟槽；进行平坦化处理，直至所述硬掩模层暴露；进行第三刻蚀处理，去除所述深沟槽中预定深度的第二氧化层和第三氧化层，所述预定深度低于所述衬垫氧化层；去除所述衬垫氧化层和所述硬掩模层，在所述第一区域剩余的第二外延层、第二氧化层和第三氧化层构成对位标记，所述第二区域的深沟槽中的第二外延层、第二氧化层和第三氧化层构成深沟槽结构；形成第三外延层，所述第三外延层覆盖所述对位标记，填充所述深沟槽中暴露的区域；进行平坦化处理，直至所述对位标记暴露。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。