华虹半导体(无锡)有限公司孙运龙获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利晶圆湿法减薄方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121638B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111370342.9，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权晶圆湿法减薄方法是由孙运龙;陈裕;谭秀文设计研发完成，并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆湿法减薄方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种用于提高晶圆刻蚀量一致性的晶圆湿法减薄方法。所述晶圆湿法减薄方法包括依次进行的以下步骤：获取刻蚀药液的累计使用时长变量与刻蚀速度变量之间的对应关系；获取当前目标晶圆，确定对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺时，所述刻蚀药液的当前累计使用时长；基于所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长，和所述对应关系，确定与所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长对应的当前刻蚀速度；基于所述当前刻蚀速度和预设的刻蚀减薄量，计算出对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺的当前刻蚀时长；使用所述刻蚀药液，以所述当前刻蚀时长，对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺。
本发明授权晶圆湿法减薄方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆湿法减薄方法，其特征在于，所述晶圆湿法减薄方法包括依次进行的以下步骤：获取预先存储有的刻蚀药液的累计使用时长变量与刻蚀速度变量之间的对应关系；获取当前目标晶圆，确定对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺时，所述刻蚀药液的当前累计使用时长；基于所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长，和所述对应关系，确定与所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长对应的当前刻蚀速度；基于所述当前刻蚀速度和预设的刻蚀减薄量，计算出对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺的当前刻蚀时长；使用所述刻蚀药液，以所述当前刻蚀时长，对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺。
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