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绍兴文理学院任宽宽获国家专利权

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龙图腾网获悉绍兴文理学院申请的专利一种基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池及其快速制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114023882B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111324477.1,技术领域涉及:H10K30/50;该发明授权一种基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池及其快速制备方法是由任宽宽;李强;李春鹤;方泽波设计研发完成,并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池及其快速制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池及其快速制备方法,它是采用SnO2作为电子传输层,通过电沉积的二氧化铅PbO2提供铅源,在PbO2表面旋涂FAI薄膜,经过快速退火使得FAI与PbO2完全反应得到FAPbI3薄膜,然后在钙钛矿层上面制备空穴传输层,并在空穴传输层上面沉积金属电极得到钙钛矿FAPbI3太阳能电池。本发明制备方法节省时间,成本低廉,工艺简单,重复性好,可应用于制备大面积高效的钙钛矿太阳能电池。

本发明授权一种基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池及其快速制备方法在权利要求书中公布了:1.一种基于电沉积技术的FAPbI3太阳能电池,其特征在于,包括:透明导电衬底;所述透明导电衬底为ITO或者FTO衬底;电子传输层,置于所述透明导电衬底上;所述电子传输层为SnO2、TiO2、CdS中的至少一种;钙钛矿FAPbI3层,置于所述电子传输层上;所述钙钛矿FAPbI3层由电沉积在电子传输层上的PbO2薄膜和旋涂在PbO2薄膜表面的FAI薄膜快速反应制得;空穴传输层,置于所述钙钛矿FAPbI3层上;金属电极,置于所述空穴传输层上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人绍兴文理学院,其通讯地址为:312000 浙江省绍兴市环城西路508号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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