新加坡商格罗方德半导体私人有限公司D·J·J·洛获国家专利权
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龙图腾网获悉新加坡商格罗方德半导体私人有限公司申请的专利用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613803B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111286472.4，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置是由D·J·J·洛;R·K·莱迪;陈学深设计研发完成，并于2021-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置在说明书摘要公布了：本发明涉及用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置，揭示了包括非易失性存储器元件的结构和制造包括非易失性存储器元件的结构的方法。第一、第二和第三非易失性存储器元件各自包括第一电极、第二电极、及在第一电极和第二电极之间的切换层。第一位线耦合到第一非易失性存储器元件的第一电极和第二非易失性存储器元件的第一电极。第二位线耦合到第三非易失性存储器元件的第一电极。
本发明授权用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：第一非易失性存储器元件，包括第一电极、第二电极、及在该第一电极和该第二电极间的切换层；第二非易失性存储器元件，包括第一电极、第二电极、及在该第一电极和该第二电极间的切换层；第三非易失性存储器元件，包括第一电极、第二电极、及在该第一电极和该第二电极间的切换层；第一位线，耦合到该第一非易失性存储器元件的该第一电极和该第二非易失性存储器元件的该第一电极；第二位线，耦合到该第三非易失性存储器元件的该第一电极；以及第三位线，耦合到该第一非易失性存储器元件的该第二电极和该第三非易失性存储器元件的该第二电极。
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