长鑫存储技术有限公司刘翔获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116033738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111242748.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法是由刘翔设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构，包括：衬底；隔离结构，隔离结构形成于衬底内；字线，字线的部分位于隔离结构内；导电部，导电部位于隔离结构的底部，用于排斥电子。通过使得导电部位于隔离结构的底部，从而在字线打开时，隔离结构底部的导电部会排斥表面电子，从而阻断漏电路径，以此避免半导体结构出现漏电问题，改善半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；隔离结构，所述隔离结构形成于所述衬底内；字线，所述字线的部分位于所述隔离结构内；导电部，所述导电部位于所述隔离结构的底部；所述导电部与所述衬底相接触；所述导电部包括：第一导电层，所述第一导电层的部分位于所述隔离结构内。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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