广东佛智芯微电子技术研究有限公司杨斌获国家专利权
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龙图腾网获悉广东佛智芯微电子技术研究有限公司申请的专利一种高集成密度的芯片互连结构、封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964096B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111227904.4，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权一种高集成密度的芯片互连结构、封装结构及封装方法是由杨斌;赵迎宾;华显刚设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高集成密度的芯片互连结构、封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明属于芯片互连技术领域，特别涉及一种高集成密度的芯片互连结构、封装结构及封装方法。该芯片互连结构包括集成束，集成束呈束状，集成束包括介电层和多个导电线路，介电层包覆在多个导电线路的外表面，导电线路贯穿介电层且暴露在集成束相对设置的两端面。本芯片互连结构的集成束能够脱离芯片单独制作而成，采用该集成束封装的芯片封装结构良品率和可靠性更高，有利于测量仪器检测集成束的导电线路缺陷。集成束的长度灵活组合，具有更好的适应性，能够适应不同规格、不同制程的芯片的互连。相较于TSV的互连结构，集成束的导电线路之间的距离更小，降低互连传输通道的长度，集成密度更高，提供更高的数据传输速率和带宽。
本发明授权一种高集成密度的芯片互连结构、封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种高集成密度的芯片互连结构，其特征在于，包括集成束5，所述集成束5呈束状，所述集成束5包括介电层51和多个导电线路53，所述介电层51包覆在多个所述导电线路53的外表面，所述导电线路53贯穿所述介电层51且暴露在所述集成束5相对设置的两端面；所述导电线路53呈多层同心圆式均匀排列；外层的所述导电线路53朝所述集成束5的边缘电性引出；所述导电线路53的直径为15-500微米，相邻两个所述导电线路53的间距为2-1000微米。
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